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作者: losan 时间: 2018-5-3 14:15
标题: LED倒装芯片知识全解（共3页pdf）

LED倒装芯片知识全解

什么是LED 倒装芯片？近年来，在芯片领域，倒装芯片技术正异军突起，特别是在大功率、户外照明的应用市场上更受欢迎。
要了解LED 倒装芯片，先要了解什么是 LED正装芯片
LED正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。该结构，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN，发光层，N-GaN，衬底。所以，相对倒装来说就是正装。

目前LED 芯片结构主要有三种流派，最常见的是正装结构，还有垂直结构和倒装结构。正装结构由于p，n电极在 LED 同一侧，容易出现电流拥挤现象，而且热阻较高，而垂直结构则可以很好的解决这两个问题，可以达到很高的电流密度和均匀度。未来灯具成本的降低除了材料成本，功率做大减少LED 颗数显得尤为重要，垂直结构能够很好的满足这样的需求。这也导致垂直结构通常用于大功率LED 应用领域，而正装技术一般应用于中小功率 LED。而倒装技术也可以细分为两类，一类是在蓝宝石芯片基础上倒装，蓝宝石衬底保留，利于散热，但是电流密度提升并不明显；另一类是倒装结构并剥离了衬底材料，可以大幅度提升电流密度。

LED倒装芯片的优点
一是没有通过蓝宝石散热，可通大电流使用；二是尺寸可以做到更小，光学更容易匹配；三是散热功能的提升，使芯片的寿命得到了提升；四是抗静电能力的提升；五是为后续封装工艺发展打下基础。

什么是LED 倒装芯片
据了解，倒装芯片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来，故称其为“倒装芯片”。

倒装LED 芯片，通过 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长 GaN 基 LED 结构层，由 P/N 结发光区发出的光透过上面的P 型区射出。由于 P 型 GaN 传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在 P 区表面形成一层Ni- Au 组成的金属电极层。P 区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展，Ni-Au 金属电极层就不能太薄。为此，器件的发光效率就会受到很大影响，通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什麼情况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用 GaN LED 倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

在倒装芯片的技术基础上，有厂家发展出了LED 倒装无金线芯片级封装。

什么是LED 倒装无金线芯片级封装
倒装无金线芯片级封装，基于倒装焊技术，在传统 LED 芯片封装的基础上，减少了金线封装工艺，省掉导线架、打线，仅留下芯片搭配荧光粉与封装胶使用。作为新封装技术产品，倒装无金线芯片级光源完全没有因金线虚焊或接触不良引起的不亮、闪烁、光衰大等问题。相比于传统封装工艺，芯片级光源的封装密度增加了 16 倍，封装体积却缩小了80%，灯具设计空间更大。倒装无金线芯片凭借更稳定的性能、更好的散热性、更均匀的光色分布、更小的体积受到越来越多 LED 灯具企业和终端产品应用企业的青睐。

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作者: tieq1952 时间: 2018-5-13 06:32
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