STM8S和STM8A入门学习资料下载（共40页pdf） -

标题: STM8S和STM8A入门学习资料下载（共40页pdf） [打印本页]

作者: ZBDX 时间: 2018-5-20 15:36
标题: STM8S和STM8A入门学习资料下载（共40页pdf）
STM8S-和-STM8A-入门

电源概述

该器件可以通过一个外部的 3.0 V 到 5.5 V 电源供电。一个片上电源管理系统提供了到内核逻辑的 1.8 V 数字电源，具有正常和低功耗两种工作模式。它也能够检测主要的外部电源(3.3 V/5 V) 和内部电源 (1.8 V) 上面的电压跌落。

该器件提供：一对 VDD/VSS （3.3 V ± 0.3 V到 5 V ± 0.5 V）焊盘专门用于主稳压器镇流器晶体管供电。

两对 VDD_IO/VSS_IO（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）专用焊盘，只用于I/O 的供电。在 32引脚封装上，只绑定了一对引脚。
对于临近 VDD/VSS 的 VDDIO/VSSIO，建议将两对连接到一起，同时只使用一个去耦电容。目的是通过减少电源之间以及 VDD/VDDIO 和电容之间的连接线长度，以确保好的抗噪性能。一对专门用于模拟功能供电的 VDDA/VSSA（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）焊盘。更多详
细信息，请参见第 3 节：模数转换器（ADC）第 10 页。

电容必须尽可能靠近器件电源连接（特别是在 VDD 有专用地平面的情况下）。
可选择在 OSCIN/OSCOUT 上放置一个晶体 / 谐振器。谐振器必须尽可能靠近 OSCIN 和
OSCOUT 引脚连接。负载电容地必须尽可能靠近 VSS 连接。

主工作电压
STM8S 和 STM8A 器件采用 0.13 µm 工艺制作。 STM8S和 STM8A 内核以及 I/O 外设需要不同的电源供电。实际上，STM8S 和 STM8A 器件有一个标称目标输出为 1.8 V的内部稳压器。

主调压器的稳定性是通过将外部电容 CEXT 连接到VCAP 引脚实现的。更多关于 VCAP 电容特性的信息，请参考 STM8S或 STM8A 数据手册。要注意将电容的串联等效电感限制在 15 nH 以下。

上电 /掉电复位（POR/PDR）
对主调压器和低功耗调压器的输入供电由上电 / 掉电复位电路监控。监控电压范围为 0.7 V到 2.7 V。
在上电过程中时， POR/PDR 保持器件处于复位，直到电源电压（VDD 和 VDDIO）达到它们指定的工作区域。
在开机时，应维持一个 0.7 V以下的预定义复位。复位释放的上限在产品数据手册的电气特性一节中定义。
迟滞 (POR > PDR) 用以确保准确检测电压上升和下降。
当电源电压下降到 VPOR/PDR 门限值（孤立和重复的事件）以下时， POR/PDR 也会产生一个复位。

建议
所有的引脚需要正确地连接到电源上。这些连接，包括焊盘、线和过孔，都应该有尽可能低的阻抗。典型情况下，这可通过使用粗的线宽做到，最好在多层印刷电路板 (PCB) 中使用专用供电层。
此外，每个供电电源对都应使用滤波陶瓷电容（100nF）和化学电容 (1..2 µF)去耦，它们与STM8S 或 STM8A 器件并联。这些陶瓷电容应放置在PCB 另一侧尽可能接近或低于适当引脚的位置。其典型值为 10 nF 至 100 nF，但准确值取决于应用需要。图 3 显示了这种V dd/Vss 对的典型布局。

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作者: shahai 时间: 2018-12-22 22:01
学习一下，，，

作者: 陈仕祥 时间: 2019-6-4 10:27
不错，学习了，加油

作者: eee123 时间: 2019-10-8 08:50
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