名称 | 管脚 | 类型 | 功能描述 |
GND | 1 | 数字地 模拟地 | |
13 | |||
HA1 | 2 | O (VS) | 高端p型mos管输出 用来驱动VHS去控制mos管的导通和截止 |
HA2 | 3 | ||
HB1 | 23 | ||
HB2 | 22 | ||
BMA1 | 5 | I (VS) | 桥接输出的检测输入 用来短接到地,保护电路。 不用的时候受限于VS |
BMA2 | 4 | ||
BMB1 | 20 | ||
BMB2 | 21 | ||
LA1 | 6 | O 5V | 低端mos管驱动输出 用来驱动5VOUT去控制mos管的导通和截止 |
LA2 | 7 | ||
LB1 | 19 | ||
LB2 | 18 | ||
SRA | 8 | AI | 斩波驱动程序的采样电阻输入 |
SRB | 17 | ||
5VOUT | 9 | 内部的5V线性稳压器的输出。这个电压用来给低端驱动和内部模拟电路供电。外接一个滤波电容,电容靠近9和13引脚,另一端接地。470nf的陶瓷电容对大部分应用程序是足够的。或者一个钽电容(10μF或更多)能够提高mos管栅极性能。 | |
SDO | 10 | DO VIO | SPI的数据输出端(三态) |
SDI | 11 | DI VIO | SPI的数据输入端(测试模式的扫描测试输入端) |
SCK | 12 | DI VIO | SPI接口的串行时钟输入 (在测试模式扫描测试转变位使能输入) |
CSN | 14 | DI VIO | SPI接口的芯片选择输入 |
ENN | 15 | DI VIO | 禁止使能输入端 关闭所有mos管 |
CLK | 16 | DI VIO | 系统时钟输入端。低电平 使用内部时钟,高电平 禁用内部时钟知道断电 |
VHS | 24 | 高端电源电压输入(10v) | |
VS | 25 | 电机电源电压 | |
TST_ANA | 26 | AO VIO | 模拟模式的测试输入端,正常运行时保持常开状态 |
SG_TST | 27 | DO VIO | 电机失速保护,高电平有效 |
GNDP | 28 | 功率管的接地,直接接地 | |
VCC_IO | 29 | 所有数字引脚的电源输入输出端,数字逻辑供电,可调3.3v和5v | |
DIR | 30 | DI VIO | 方向信号的输入端,通过随机抽取的高低电平决定电机的转动方向,内置的滤波器提供一个60ns的小脉冲信号。 |
STEP | 31 | DI VIO | 步进信号输入端,内置的滤波器提供一个60ns的小脉冲信号。 |
TST_MODE | 32 | DI VIO | 测试模式的输入端使芯片进入测试模式正常状态常接地 |
振荡器和时钟选择器 | 提供了系统时钟,(1.片上振荡器 2.外部信号源) |
步进和方向信号接口 | 使用微步计数器和正弦列表生成目标电流(线圈电流) |
SPI接口 | 接收直接设置线圈电流值的指令 |
数据选择器 | 从正弦列表和SPI接口选择一种来控制输入电机线圈的电流 |
乘法器(倍频器) | 当电流大于电机负载的需求值或者所设计的芯片电流的尺寸参数时,使之按比例减小 |
数字模拟转换器和电流比较器 | 将数字的电流值转换为模拟信号,用来与采样电阻上的电压相比较,当模拟值大于采样电阻电压值时,比较器停止输出斩波驱动电压 |
先断后通门驱动 | 确保没有重复的脉冲信号,通过提高脉冲电压和控制脉冲斜率来关闭功率mos管 |
片上稳压器 | 为驱动器的P沟道mos管栅极和片上数字模拟电路提供高端电压 |
名称 | 描述 | 设置值 | 备注 |
SGT | 7位带符号的整数(二进制数0—1000000)用来设置Stallguard2的阈电平(这个阈电平是用来声明SG_TST的输出量)也用来设置读出值的最佳测量范围。负值用来增加敏感度,正值用来减小敏感度,这样就需要更大的转矩来表示失速。0是最好的初始值。不推荐操作值低于-10 | 0 | 敏感度中间值 |
| 灵敏度低 | ||
-1--- -64 | 灵敏度高 | ||
SFILT | Stallguard的滤波模式能得到更大的精度。如果设置为1,将减少测量频率(每4个整步测量一次),如果设置为0,则不滤波。虽然电机的机械不对称性有滤波补偿,但是响应时间是有代价的。未滤波操作时建议迅速进行失步检测,滤波操作时建议进行更加精确的负载检测。 | 0 | |
1 | 滤波模式 | ||
SG | Stallguard的10位无符号整数测量值。更高的值表示较低的机械负荷。一个较低的值表示有更高的负荷和更高的负荷角。至于失速检测,在失速前,调整SGT的值返回一个0值或略高于最大负载值。 | 0--1023 | 0:最大负荷 较低值:较大负荷 较高值:较低负荷 |
参数 | 描述 | 范围 | 备注 |
SEMIN | 4位的无符号整数用来设置较低阈值,如果SG的值小于这个阈值,coolstep为了覆盖10位的SG值的下半部分范围,4位的SEMIN的值扩展到32倍 | 0--15 | 阈值下限= SEMIN*32 (最大值15*32=480) |
SEMAX | 4位的无符号整数用来设置较高阈值。如果SG采样等于或高于该阈值的次数足够多,coolstep会减小两个线圈的电流。阈值上限=(SEMIN+ SEMAX+1)*32 | 0--15 | 阈值上限=(SEMIN+ SEMAX+1)*32 (最大值(15+15+1)*32=991) |
参数 | 描述 | 范围 | 备注 |
CS | 电流设置。缩减来自内置的正弦列表或SPI接口的线圈电流值。为了实现高精度电机操作,工作电流在16到32范围内缩减,因为按比例缩减的电流值减小了微步的分辨率,这个值还控制着通过coolstep设置的电流的最大值。 | 0--31 | 比例因素:1/32.2/32….32/32 |
SEUP | 每次SG的测量值小于阈值下限时线圈电流的增量.电流增加速度. | 0--3 | 补宽:1 2 4 8 |
SEDN | SG的测量值大于阈值上限时,线圈电流时递减的. 电流减小速度. | 0--3 | SG的测量次数减小:32 8 4 1 |
SEIMIN | 控制按比例缩减的线圈电流的下限值的模式位.如果这个位设置,电流的极限值是1/4CS.如果这个位是明确的,极限值是电流的1/2CS | 0 | 最小的电机驱动电流:CS的1/2 |
1 | CS的1/4 | ||
状态字 | 描述 | 范围 | 备注 |
SE | 5位无符号整数报告缩放后的有效电流值是由coolstep决定。这个值是由1除以32相似,因此它的范围是1/32—32/32.这个值不大于CS的值或不小于1/4CS和1/2CS任何一个,它取决于SEIMIN的设置值。 | 0--31 | 实际上,按比例换算的电机电流设置:1/32.2/32….32/32 |
SPI接口时间选择 | 数字特征 时钟周期是tCLK | |||||
参数 | 表示 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
SCK在CSN改变之前或之后有效值 | tCC |
| 10 |
|
| ns |
CSN的高端时钟 | tCSH | 在CSN高电平前SCK有一个高端tCLK仅供与系统时钟同步的最短时间 | tCLK | > 2tCLK+10 |
| ns |
SCK的低端时钟 | tCL | 仅供与系统时钟同步的最短时间 | tCLK | > tCLK+10 |
| ns |
SCK的高端时钟 | tCH | 仅供与系统时钟同步的最短时间 | tCLK | > tCLK+10 |
| ns |
SCK使用内部时钟的频率 | fSCK |
|
|
| 4 | MHz |
SCK使用外部16MHz时钟的频率 | fSCK |
|
|
| 8 | MHz |
SCK上升沿之前SDI设置的时间 | tDU | 假设最低的OSC频率 | 10 |
|
| ns |
SCK上升沿之后SDI拥有的时间 | tDH | 假定同步时钟 | 10 |
|
| ns |
SCK下降沿之后数据输出地建立时间 | tDO | SDO上没有电容性负载 |
|
| tFILT+5 | ns |
SDI SCK CSN的过滤器延时 | tFILT | 上升和下降沿 | 12 | 20 | 30 | ns |
寄存器 | 描述 |
驱动控制寄存器 | 驱动控制寄存器有不同的控制模式,不同的控制模式取决于运动控制器的接口是否采用step/dir接口 |
斩波设置寄存器 | 斩波设置寄存器拥有斩波器参数和模式设置位 |
步进优化设置寄存器 | 步进优化设置寄存器有关于步进优化的参数和模式设置位 |
保护和诊断设置寄存器 | 保护和诊断设置寄存器有关于保护和诊断的参数和模式设置位 |
驱动器设置寄存器 | 驱动器设置寄存器有可以控制功率场效应管和保护电路的参数和模式位。其中有一个SDOFF位用来控制step/dir接口还有一个RDSEL参数用来控制SPI事物里的返回值 |
位\寄存器 | 驱动控制寄存器 (SDOFF=1) | 驱动控制寄存器(SDOFF=0) | 斩波设置寄存器 | 步进优化设置寄存器 | 保护和诊断设置寄存器 | 驱动器设置寄存器 |
19 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
17 | PHA | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
16 | CA7 | 0 | TBL1 | 0 | SFILT | TST |
15 | CA6 | 0 | TBL0 | SEIMIN | 0 | SLPH1 |
14 | CA5 | 0 | CHM | SEDN1 | SGT6 | SLPH0 |
13 | CA4 | 0 | RNDTF | SEDN0 | SGT5 | SLPL1 |
12 | CA3 | 0 | HDEC1 | 0 | SGT4 | SLPL0 |
11 | CA2 | 0 | HDEC0 | SEMAX3 | SGT3 | 0 |
10 | CA1 | 0 | HEND3 | SEMAX2 | SGT2 | DISS2G |
9 | CA0 | INTPOL | HEND2 | SEMAX1 | SGT1 | TS2G1 |
8 | PHB | DEDGE | HEND1 | SEMAX0 | SGT0 | TS2G0 |
7 | CB7 | 0 | HEND0 | 0 | 0 | SDOFF |
6 | CB6 | 0 | HSTRT2 | SEUP1 | 0 | VSENSE |
5 | CB5 | 0 | HSTRT1 | SEUP0 | 0 | RDSEL1 |
4 | CB4 | 0 | HSTRT0 | 0 | CS4 | RDSEL0 |
3 | CB3 | MRES3 | TOFF3 | SEMIN3 | CS3 | 0 |
2 | CB2 | MRES2 | TOFF2 | SEMIN2 | CS2 | 0 |
1 | CB1 | MRES1 | TOFF1 | SEMIN1 | CS1 | 0 |
0 | CB0 | MRES0 | TOFF0 | SEMIN0 | CS0 | 0 |
位 | RDSEL=%00 | RDSEL=%01 | RDSEL=%10 |
19 | MSTEP9 | SG9 | SG9 |
18 | MSTEP8 | SG8 | SG8 |
17 | MSTEP7 | SG7 | SG7 |
16 | MSTEP6 | SG6 | SG6 |
15 | MSTEP5 | SG5 | SG5 |
14 | MSTEP4 | SG4 | SG4 |
13 | MSTEP3 | SG3 | SG3 |
12 | MSTEP2 | SG2 | SG2 |
11 | MSTEP1 | SG1 | SG1 |
10 | MSTEP0 | SG0 | SG0 |
9 | - | - | - |
8 | - | - | - |
7 | STST | ||
6 | OLB | ||
5 | OLA | ||
4 | S2GB | ||
3 | S2GA | ||
2 | OTPW | ||
1 | OT | ||
0 | SG |
驱动控制寄存器 | SPI模式下的驱动器控制(SDOFF=1) | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 0 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | PHA | A极 | 通过线圈A的电流信号: 0:电流从OA1引脚流到OA2 1:电流从OA2引脚流到OA1 |
16 | CA7 | A极电流的最高有效位 | 通过A线圈的电流大小。它的范围是0—248,如果滞后或抵消他们的全部。滞后或抵消后得到的值不超过255 |
15 | CA6 | ||
14 | CA5 | ||
13 | CA4 | ||
12 | CA3 | ||
11 | CA2 | ||
10 | CA1 | ||
9 | CA0 | A极电流的最低有效位 | |
8 | PHB | B极 | 通过线圈B的电流信号: 0:电流从OB1引脚流到OB2 1:电流从OB2引脚流到OB1 |
7 | CB7 | B极电流的最高有效位 | 通过B线圈的电流大小。它的范围是0—248,如果滞后或抵消他们的全部。滞后或抵消后得到的值不超过255 |
6 | CB6 | ||
5 | CB5 | ||
4 | CB4 | ||
3 | CB3 | ||
2 | CB2 | ||
1 | CB1 | ||
0 | CB0 | B极电流的最低有效位 |
驱动控制寄存器 | SPI模式下的驱动器控制(SDOFF=0) | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 0 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 保留 | |
16 | 0 | 保留 | |
15 | 0 | 保留 | |
14 | 0 | 保留 | |
13 | 0 | 保留 | |
12 | 0 | 保留 | |
11 | 0 | 保留 | |
10 | 0 | 保留 | |
9 | INTPOL | 能否修改步进信号(倍频) | 0:不能修改步进信号 1:步进信号乘以16倍 |
8 | DEDGE | 能否双边沿触发步进信号 | 0:上升沿触发,下降沿不触发 1:双边沿触发 |
7 | 0 | 保留 | |
6 | 0 | 保留 | |
5 | 0 | 保留 | |
4 | 0 | 保留 | |
3 | MRES3 | STEP/DIR模式下微步分辨率 | 每90°微步: %0000:256 %0001: 128 %0010:64 %0011:32 %0100:16 %0101:8 %0110: 4 %0111: 2(半步) %1000:1(整步) |
2 | MRES2 | ||
1 | MRES1 | ||
0 | MRES0 |
斩波设置寄存器 | 斩波设置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 寄存器地址位 | |
16 | TBL1 | 空白时间 | 空白时间间隔,系统时间周期下: %00:16 %01:24 %10:36 %11:54 |
15 | TBL0 | ||
14 | CHM | 斩波模式 | 这个模式位影响了HDEC、HEND、HSTRT参数在下面的解释。 0:标准模式(传播周期)、 1:与快速衰减时间保持恒定. 当到达额定电流,快速衰减时间也结束。快速衰减是在准时之后。 |
13 | RNDTF | 随机关断时间 | 允许随机化慢衰减阶段持续时间 0:斩波关断时间随着关断时间位的设置而被固定 1:随机模式,关断时间可以随时调整 dN CLK = -12 … +3 clocks. |
12 | HDEC1 | 磁滞衰减间隔时间 或快速衰减模式 | CHM=0 :磁滞衰减周期设置,按系统时钟周期 %00:16 %01:32 %10:48 %11:64 CHM=1:HDEC1=0:电流比较器能够在计时器到时时终止快速衰减阶段。 HDEC1=1:只有定时器能够终止快速衰减阶段。 HDEC0: 快速衰减时间最高有效位设置 |
11 | HDEC0 | ||
10 | HEND3 | 磁滞结束(低)值 或正弦偏移量 | CHM=0 :%0000…%11111 磁滞衰减设置值是-3,-2,-1,0….12 (这个设置的1/512添加到电流设置中) 这个磁滞值被用于磁滞斩波 CHM=1 :%0000…%1111 补偿值是-3,-2,-1,0….12 正弦波补偿和它1/512的值用于添加到每一个正弦波条目的绝对值。 |
9 | HEND2 | ||
8 | HEND1 | ||
7 | HEND0 | ||
6 | HSTRT2 | 磁滞开始(高)值 或快速衰减时间设置 | CHM=0 :磁滞补偿开始到HEND结束 %000:1 %100:5 %001:2 %101:6 %010:3 %110:7 %011:4 %111:8 有效范围:HECD+HSTRT<=15 CHM=1 :快速衰减持续时间的三个最低有效位 快速衰减时间是系统时间周期的倍数: NCLK=32*(HDEC0+HSTRT) |
5 | HSTRT1 | ||
4 | HSTRT0 | ||
3 | TOFF3 | 关断时间/MOS管 不使能 | 慢衰减持续时间。如果TOFF为0,MOS管关断.如果TOFF不是0,慢衰减时间是系统时间周期的倍数。NCLK=12+(32*TOFF)(最小时间是64倍的时间周期) %0000:驱动不使能,所有桥关闭 %0001:1(用于最小的24倍时钟的TBL) %0010…%1111:2…15 |
2 | TOFF2 | ||
1 | TOFF1 | ||
0 | TOFF0 |
步进优化设置寄存器 | 步进优化设置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 1 | 寄存器地址位 | |
16 | 0 | 保留 | |
15 | SEIMIN | 最小的步进优化电流 | 0:1/2CS电流设置 1:1/4CS电流设置 |
14 | SEDN1 | 电流衰减速度 | 每个线圈电流的衰减都能保证智能保护值的采样必须大于等于上阈值的次数: %00:32 %01:8 %10:2 %00:1 |
13 | SEDN0 | ||
12 | 0 | 保留 | |
11 | SEMAX3 | 高端步进优化阈值伴随着一个来自较低阈值的补偿 | 如果智能保护功能的SG采样测量值等于或大于(SEMIN+SEMAX+1)*32足够次数,那么线圈电流的比例因素会降低。 |
10 | SEMAX2 | ||
9 | SEMAX1 | ||
8 | SEMAX0 | ||
7 | 0 | 保留 | |
6 | SEUP1 | 电流增加速度 | 每次电流增加的步数,智能保护功能的SG采样值低于较低阈值 %00:1 %01:2 %10:4 %11:8 |
5 | SEUP0 | ||
4 | 0 | 保留 | |
3 | SEMIN3 | 更低的步进优化阈值/步进优化不使能 | 如果SEMIN的值是0,步进优化功能不使能。如果SEMIN不是0并且智能保护功能的SG采样值低于SEMIN*32,优化步进的电流比例因子增加。 |
2 | SEMIN2 | ||
1 | SEMIN1 | ||
0 | SEMIN0 |
保护和诊断设置寄存器 | 保护和诊断设置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 1 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 寄存器地址位 | |
16 | SFILT | 滤波使能 | 0:标准模式,最快的响应时间 1:滤波模式,每补偿4个整步电机的结构更新一次,有最高的精度。 |
15 | 0 | 保留 | |
14 | SGT6 | 阈值 | 智能保护阈值控制着关于读出和失速指示(SG_TST)输出最佳的测量范围.较低的值导致较高的灵敏度。较低的转矩需要显示失速。阈值是一个有两个补码的有符号整数。这个值建议不低于-10. 范围:-64到+63 |
13 | SGT5 | ||
12 | SGT4 | ||
11 | SGT3 | ||
10 | SGT2 | ||
9 | SGT1 | ||
8 | SGT0 | ||
7 | 0 | 保留 | |
6 | 0 | 保留 | |
5 | 0 | 保留 | |
4 | CS4 | 电流大小 | 电流大小通过SPI和STEP/DIR设置 %0000…%11111:1/32,2/32,3/32,…32/32 这个值加1除以32,因此范围是1/32到32/32 举个例子:CS=20是21/32的电流 |
3 | CS3 | ||
2 | CS2 | ||
1 | CS1 | ||
0 | CS0 |
驱动器设置寄存器 | 驱动器设置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 备注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 1 | 寄存器地址位 | |
17 | 1 | 寄存器地址位 | |
16 | TST | 保留测试模式 | 正常工作时,必须被清除,当设置时, SG_TST脚输出暴露的数字测试值,TEST_ANA脚输出暴露的模拟测试值。测试值的选择被SGT1和SGT0控制。 TEST_ANA: %00:测试分析2倍Vth %01:测试分析DAC输出 %10:测试分析Vdd一半 SG_TST: %00:comp_A %01:comp_B %10:时钟 %11:导通xy |
15 | SLPH1 | 高端斜率控制 | %00:最小值 %01:最低温度补偿模式 %10:中间温度补偿模式 %11:最大值 在温度补偿模式中,如果温度过热达到警报温度时,MOS管门极驱动力增加。这个补偿的温度取决于高端斜率控制。 |
14 | SLPH0 | ||
13 | SLPL1 | 低端斜率控制 | %00:最小值 %01:最小值 %10:中间值 %11:最大值 |
12 | SLPL0 | ||
11 | 0 | 保留 | |
10 | DISS2G | 短接到地保护 不使能 | 0:短路保护使能 1:短路保护不使能 |
9 | TS2G1 | 短接到地检测 定时器 | %00:3.2μs %01:1.6μs %10: 1.2μs %11:0.8μs |
8 | TS2G0 | ||
7 | SDOFF | STEP/DIR接口 不使能 | 0:使能STEP/DIR操作 1:不使能STEP/DIR操作,SPI接口被用于移动电机 |
6 | VSENSE | 采样电阻固定 电压电流比例 | 0:全面的采样电阻电压是306mV 1: 全面的采样电阻电压是165mV (这里的全面指的是电流的31个设置和255个数字模拟转化器的值) |
5 | RDSEL1 | 选择读出值 (读出位) | %00:微步位置返回值 %01:负载检测水平状态返回 %10:负载检测和智能节能电流水平返回 %11:保留,不用 |
4 | RDSEL0 | ||
3 | 0 | 保留 | |
2 | 0 | 保留 | |
1 | 0 | 保留 | |
0 | 0 | 保留 |
驱动控制的状态 | 读响应 | ||||
位 | 名称 | 功能 | 描述 | ||
RDSEL=%00 | %01 | %10 | |||
19 | MSTEP9 | SG9 | SG9 | 线圈A微步计数器 stallGuard2 SG9:0价值 stallGuard2值SG9:5和coolStep值SE4:0 | 在正弦表中,用步进/方向模式下的微步位置。MSTEP9是极性位: 0:电流从OA1针到OA2针脚。 1:电流从OA2插针到OA1针脚。 |
18 | MSTEP8 | SG8 | SG8 | ||
17 | MSTEP7 | SG7 | SG7 | ||
16 | MSTEP6 | SG6 | SG6 | SG9:0 stallGuard2值 | |
15 | MSTEP5 | SG5 | SG5 | ||
14 | MSTEP4 | SG4 | SE4 | ||
13 | MSTEP3 | SG3 | SE3 | ||
12 | MSTEP2 | SG2 | SE2 | stallGuard2值SG9:5和实际的coolStep缩放值SE4:0。 | |
11 | MSTEP1 | SG1 | SE1 | ||
10 | MSTEP0 | SG0 | SE0 | ||
9 | 保留 | ||||
8 | 保留 | ||||
7 | STST | 静止指示器 | 0:没有检测到的静止状态。 1:在最后的2^20(1048576)个系统时钟周期中,没有出现步进脉冲的上升沿。 | ||
6 | OLB | 打开负载指示器 | 0:没有检测到打开负载的条件。 1:在最后的脉冲周期,线圈有恒定的极性时,没有发生过斩波的事件。只有当电流达到最高设置的1/16可以清除这一位! 提示:这个位只是一个状态指示器。当这个位被设定时,芯片不会采取任何其他动作。在快速运动和静止时可能出现错误的迹象。只在慢动作时检查这一点。 | ||
5 | OLA | ||||
4 | S2GB | 高端晶体管的短路检测位 | 0:没有达到短接到地的关闭条件。 1:短到地达到关闭状态。 每次短路时,短路计数器就会增加,此时斩波循环被暂停。计数器因每一个相位极性的变化而减少。当计数器达到3次,mos管关闭。保持MOSFETs关闭状态,直到关闭条件通过禁用和重新启用驱动程序来清除。关闭状态通过取消ENN(使能)输入或清除TOFF(关断时间)参数来重置。 | ||
3 | S2GA | ||||
2 | OTPW | 过温警报 | 0:温度没有达到过热的警告条件。 1:温度达到了警告阈值(警报最大值) | ||
1 | OT | 过温停止 | 0:温度没有达到过热的关闭条件。(警报温度小于关闭温度) 1:温度达到使mos管关闭的条件。 | ||
0 | SG | 保护诊断状态 | 0:没有达到电机失速的检测条件。 1:已经达到stallGuard2的阈值,此时SG_TST输出高电平。 |
STEP /DIR 接口的时钟 | 数字特征 时钟周期是tCLK | |||||
参数 | 象征 | 条件 | 最小值 | 典型 | 最大值 | 单位 |
步进脉冲频率 | fSTEP | DEDGE=0 | 1/2 fCLK | |||
DEDGE=1 | 1/4 fCLK | |||||
整步脉冲频率 | fFS | fCLK/512 | ||||
步进脉冲低电平时间 | tSL | max(tFILTSD, tCLK+20) | ns | |||
步进脉冲高电平时间 | tSH | max(tFILTSD, tCLK+20) | ns | |||
STEP /DIR设置时间 | tDSU | 20 | ns | |||
步进脉冲后方向脉冲低电平时间 | tDSH | 20 | ns | |||
STEP /DIR高峰过滤时间 | tFITSD | 双边沿 | 36 | 60 | 85 | ns |
STEP /DIR相对于上升的CLK输入的采样 | tSDCLKHI | 上升沿 | ns |
onono 发表于 2019-1-31 10:34
楼主很帅!未来会用到TMC5160等TMC芯片,很有参考意义。感谢分享!
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