全志硬件测试软件DragonHD.1.2.4与DRAM测试工具使用教程与软件下载 -

工具优势:

测试便捷:裸板连接 USB 即可测试。

快速定位硬件连通性:能快速定位焊接不良的颗粒(如 4*8 的颗粒可定位到具体某颗焊接不良)。

测试时间短:1MIN 可测试完一个 loop，可迅速测试出稳定性一般的 case(这些 case 上系统老化测试可能需要几小时才能 detect 出)。

调试问题便捷，对 DRAM 不稳定的板卡，工具端迭代修改参数测试，较上系统验证节省 90%的时间(上案桌系统修改参数验证一轮短则 10 分钟长则几小时，工具端不到 3 分钟)。

工具局限性:

因为测试时间短无法 cover 到所有不稳定的 case，这些 case 可能需长时间老化测试才能暴露问题，所以本工具不能代替 DRAM 老化测试。

工具主要测试的是 DRAM 的 IO 性能，对 DRAM 内部 CELL 的物理特性测试有一定局限性(这部分测试主要靠 DRAM 原厂保证)，所以测试工具如作为黑片筛选有一定风险。

2.DRAM测试相关设置

2.1. 基本设置：

打开 DragonHD 后，关注左侧测试选项：

1、选取测试平台(如测试 A64 就在平台下拉列表选择 A64)；

2、调整 DDR频率，一般以量产频率为准(下拉列表选择)；

3、选择循环测试次数，推荐 3 次；

4、勾选测试项，推荐全选(如 DDR3 就勾选 DDR3 菜单的所有测试项)；

5、按“启动”然后使机器进入 efex 状态(即烧写固件状态)；

6、等待测试完成并查看 log。

7、(注:DragonHD 所有测试模块必须使机器进入 efex 状态，即固件烧写状态方可使用，请勿同时开启 PhoenixSuit等烧写工具，否则会导致测试失败)

2.2.测试结果分析

2.2.1.初始化失败

如下图所示 LOG 标红代表测试失败，点击查看 LOG 可以看到 dram init fail 即 dram 初始化失败：

通过查看 log，可以看到通道 0 的 byte 1 及 byte 3 的 erro 标识为 1，说明错误出现在 byte 1 和 byte 3。因此先要查看对应的原理图和 PCB，确认是哪些 DRAM 颗粒可能存在问题：

Byte1 和 byte3 对应的就是 DQS1 和 DQS3 的链接片子，可以确认 D3_U1 这里存在问题，通过对应 PCB 找到 DRAM 颗粒位置，如初始化失败可先检查电源，电源无异常基本就是焊接问题，根据工具端打印的初始化失败的 byte 找到对应的 DRAM 片子更换即可。

2.2.2.压力测试失败

如标红代表测试失败，点击可看到如下所示 LOG，显示 dram memtester fail 即 dram 读写测试失败了，工具端打印出了出错的 bit 即 16bit 出错代表dq16 出错(0x10000 换成二进制就是 16bit 为 1)，而 bit16 就代表 byte2 出错(byte0:dq0~dq7,byte1:dq8~dq15,byte2:dq16~dq23,byte3:dq24~dq31)。此外工具端初始化成功后还会打印出容量信息。如贴的是正片，说明 dram 信号不稳定，需要进一步调节参数让 dram 子系统稳定，如贴的非正规物料可能是信号不稳定也可能是片子本身存在坏块，具体情况还需具体分析。

2.2.3.参数修改

2.2.2 中提到测试出错，如板卡测试出错代表 DRAM 不稳定，就需要 debug，工具开放了 DRAM 的参数接口供开发人员进行修改，以 A64 为例先左键点击 dram_init 然后点击右键即可选择编辑参数，如下图所示界面，可以看到此参数和 SDK 的 sys_config.fex 中的 DRAM 参数部分一样。这样就可以直接在工具端调试，省去上系统的繁琐测试过程，可供修改的参数为 dram_zq和 dram_mr1，即主控端和 DRAM 端的阻抗参数。

clk = 672 dram_type = 3

dram_zq = 0x3b3bbb dram_odt_en = 0x1 dram_para1 = 0x10E410E4 dram_para2 = 0x1000 dram_mr0 = 0x1840 dram_mr1 = 0x40 dram_mr2 = 0x18 dram_mr3 = 0x2 dram_tpr0 = 0x004A2195dram_tpr1 = 0x02424190 dram_tpr2 = 0x0008B060 dram_tpr3 = 0x04b005dc dram_tpr4 = 0x0 dram_tpr5 = 0x0dram_tpr6 = 0x0 dram_tpr7 = 0x0 dram_tpr8 = 0x0dram_tpr9 = 0x0 dram_tpr10 = 0x8808 dram_tpr11 =0x0 dram_tpr12 = 0x55550000 dram_tpr13 = 0x04000900

SOC 端阻抗调节，SOC 端阻抗即调节 dram_zq，以 A64 为例默认阻抗为 0x3b3bfb，对应的参数说

明为为如下表所示，2.2.2 中提到的压力测试失败，且出错的是 16bit 也就是 byte2 出问题，所以可以尝试调节 byte2 的输出驱动能力或 ODT，如修改为0x3b3dfb，再测试看是否 PASS，不断迭代修改测试(注意每次修改参数都需要将工具停止后再启动，这样修改的参数才生效)。

[23:20] Byte2/3 on die termination(终端 ODT) [19:16] Byte2/3 output impedance (输出驱动能力)[15:12] Byte0/1 on die termination(终端 ODT) [11:8] Byte0/1 output impedance (输出驱动能力) [7:4] CLK output impedance(输出驱动能力)

[3:0] CA output impedance(输出驱动能力)

DRAM 端阻抗调节，通过调节 mr1 可以修改 DRAM 端的输出驱动能力和 ODT 的，如下表所示为 mr1 的说明，可以通过 MR1 的值来达到调节 DRAM端的 ODT 和阻抗，默认设置 mr1=0x40，即输出驱动能力为 RZQ/6=240Ω/6=40Ω，ODT 为 RZQ/2=240Ω/2=120Ω。当出现压力测试报错时，可以尝试修改主控端或 DRAM 端的 ODT 或驱动能力。

	码值	Output Driver Impedance Control
Bit5:Bit1	00	RZQ/6
Bit5:Bit1	01	RZQ/7
	码值	on die termination
Bit9:Bit6:Bit2	000	Disable odt
Bit9:Bit6:Bit2	001	RZQ/4
Bit9:Bit6:Bit2	010	RZQ/2
Bit9:Bit6:Bit2	011	RZQ/6

2.2.4.测试通过

如下所示绿色标示测试完成，无报错，说明压力测试 pass，点击查看 LOG 可看到所有测试项均 OK，代表工具压力测试正常。

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