硅基成电路设计PPT课件下载 -

标题: 硅基成电路设计PPT课件下载 [打印本页]

作者: 凤的情绪 时间: 2018-11-12 20:49
标题: 硅基成电路设计PPT课件下载
硅基成电路工艺基础  共九章  很详细的！
      本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺，介绍各项工艺的物理基础和基本原理，主要内容包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后简要介绍集成电路的工艺集成。
      本课程也是从事微电子相关领域（如太阳电池、半导体器件、激光器、LED和TFT等）的研究和工作的基础课程。

通过学习本课程，可以：
了解并掌握常用的半导体工艺技术；
能够简要叙述集成电路每一个工艺过程；
了解基本的集成电路制备过程；
能够从事半导体工艺相关的工作。

外延：是指在单晶衬底(如硅片)上，按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。生长有外延层的硅片称为外延片。
同质外延：生长的外延层和衬底是同一种材料。
异质外延：外延生长的薄膜与衬底材料不同，或者生长化学组分、物理结构与衬底完全不同的外延层，如SOS 技术（在蓝宝石或尖晶石上生长硅）。
根据向衬底输送原子的方式，外延生长分为三种类型：
气相外延(VPE)、液相外延(LPE)和固相外延(SPE)。
在硅工艺中主要采用气相外延技术，能够很好地控制外延层厚度、杂质浓度、晶体完整性。缺点是必须在高温下进行，加重了扩散效应和自掺杂效应，影响对外延层掺杂的控制。

全部资料51hei下载地址：

硅集成课件.rar (16.59 MB, 下载次数: 9)

欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/)