标题: FPGA SDRAM读写操作 [打印本页]
作者: 牛的你    时间: 2018-12-24 11:11
标题: FPGA SDRAM读写操作
SDRAM read and write

2.1.1 SDRAM 的控制时序
SDRAM 需要正确的上电逻辑和模式设置来进入期望的工作模式。访问特定的逻辑单元必须先激活相应的存储块，并锁定对应的行列地址。另外，必须有定时的刷新逻辑保持数据不丢失，SDRAM 有多种操作模式，由引脚 CS＃、RAS＃、CAS＃、WE＃和地址信号的不同状态来决定，SDRAM控制器必须为 SDRAM 提供满足时序要求的这些控制信号，以准确地控制 SDRAM的各种不同操作。

2.1.2 SDRAM 初始化和模式设置
SDRAM 的所有电源引脚必须同时加电，并且所有输入和电源引脚上电电压不得超过标称值 0.3V。加电完成后应等待 100us 之后再对所有 BANK 进行预充电，等待期间要求 CKE 保持高电平。 预充电之后要执行两个自动刷新命令，之后发出模式设置命令以初始化模式寄存器。由于在上电后模式寄存器的状态是不确定的，所以在进行 SDRAM操作之前一定要先设置模式寄存器。 模式设置命令使用地址线 A10~A0 作为模式数据输入线。其中 A2~A0 作为 Burst 长度，A3 为 Burst 类型，A6~A4 为 CAS 延迟。A8~A7 为操作模式，A9 为写 Burst 模式。模式寄存器的设置值必须与器件的延迟参数以及读写操作的控制时序一致。模式寄存器的设置值如下表所示。



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作者: HAWLEY    时间: 2019-2-15 12:47
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