三极管作为开关，CE间的压降问题 -

标题: 三极管作为开关，CE间的压降问题 [打印本页]

作者: bigfou 时间: 2019-1-23 10:11
标题: 三极管作为开关，CE间的压降问题
本帖最后由 bigfou 于 2019-1-23 10:14 编辑

系统启动时默认是低电平，外接设备默认是低电平有效。我想使用一个引脚来控制外部电路的电源开关。如图：但是三极管上有压降。。不知道怎么解决

dianlu.jpg (10.93 KB, 下载次数: 78)

作者: 新乡家电维修 时间: 2019-1-23 11:27
换成场效应管，压降可以忽略不计

作者: bigfou 时间: 2019-1-23 20:05

新乡家电维修发表于 2019-1-23 11:27
换成场效应管，压降可以忽略不计

非常感谢您的回复。我去了解了一下，我这个场景需要用N沟道场效应管。我选了SI2300 这个，是不是只要图那样接法？不许用其他的外围器件了吧？负载电压是3.3V 电流约50ma。

无标题.png (3.66 KB, 下载次数: 71)

作者: wulin 时间: 2019-1-23 20:51

bigfou 发表于 2019-1-23 20:05
非常感谢您的回复。我去了解了一下，我这个场景需要用N沟道场效应管。我选了SI2300 这个，是不是只要图那 ...

采用P沟道场效应管低电平触发作电源开关比较适合。

作者: bigfou 时间: 2019-1-23 23:09

wulin 发表于 2019-1-23 20:51
采用P沟道场效应管低电平触发作电源开关比较适合。

因为系统启动时默认就是低电平，只要外围设备默认就通电了。我想启动默认外设不通电。

作者: 车神依旧 时间: 2019-1-23 23:55
换成PMOS管，不需要加其他电路；换成NMOS，需要加电荷泵电路

作者: taotie 时间: 2019-1-24 00:16
用锗pnp管吧

作者: 164908060 时间: 2019-1-24 21:13
NMOS控制正极 PMOS控制负极三极管深度饱和电流不大的场景压降也可以忽略不计

作者: cjm82 时间: 2019-1-24 23:10
所谓的压降到底有多大,一般饱和时CE压降很小的..
CE压降大会不会是因为B极电流过小而C极负载较大而跑到了放大区了?
用万用表测下B极电阻上降了多少电压,就能大概算出B极电流.如果IO口是内上拉,驱动NPN管一般不需要B极限流电阻,内部上拉电阻已经可以起这个作用了.

作者: dzbj 时间: 2019-1-24 23:13

bigfou 发表于 2019-1-23 23:09
因为系统启动时默认就是低电平，只要外围设备默认就通电了。我想启动默认外设不通电。

那你用一个NMOS控制一个PMOS不就行了 NMOS是高有效 PMOS是低有效

作者: cjm82 时间: 2019-1-24 23:21
推荐个简单实用的电路,单片机IO口设置成内上拉,高电平时Q1导通,继而Q2导通,负载RL得电.VDD可以取与单片机电源共地的任意电压,当然前提是不能超过元件的极限参数.电压取得高,适当加大R1阻值.

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作者: bigfou 时间: 2019-1-25 11:10
非常感谢大家的回复。我得面包板来挨个测试一下。谢谢大家

作者: Y_G_G 时间: 2019-1-25 11:38

这到底是有多难的电路呢?
你对着我这电路接就可以了,两个电路都是我实际测量使用过的,电阻不能少因为是MOS管,有时候会误导通的.
这样的电路也一样的会产生压降,不同的MOS管压降也不同,但还是要比三极管小很多的,只要不是很精密的电路的话,实用性还是很强的,压降一般是在:0.02V-0.06V左右,1A的电流.

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