空穴迁移率低的P沟道MOS管 -

标题: 空穴迁移率低的P沟道MOS管 [打印本页]

作者: 元器件 时间: 2019-2-22 14:51
标题: 空穴迁移率低的P沟道MOS管
MOS管分P沟道和N沟道两种。因为NMOS管导通电阻小，容易制造，多数人都是使用NMOS管。但并非所有的工厂都会选择NMOS管，比如一些中小型的数字控制电路至今仍然采用PMOS管技术。所以PMOS管与NMOS管相比也不会毫无优势。

P沟道MOS管的空穴迁移率低，因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外，P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高，恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。这就给PMOS管的使用范畴有了一定的限制。

PMOS管因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS管电路呈现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS管电路工艺简单，价钱低廉，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS管电路技术。PMOS管的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，固然PMOS管可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS管。正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。

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