标题: MOS管原理图解 [打印本页]
作者: qqarshavin    时间: 2019-8-22 09:46
标题: MOS管原理图解

閘極加入正電壓時，通道內之正電荷被排斥，而源極與汲極之負電荷被吸引而移向閘極。

閘極加入更多的正電壓，源極與汲極的負電荷受到更大的吸引，向通道移動。



當閘極的電壓足夠大時(大於臨界電壓)，氧化層下充滿負電荷而形成通道，電晶體成為導通狀態。



結論
•NMOS電晶體在閘極不加電壓時，呈現所謂的“截止狀態”。不論源汲極間電壓為何，源汲極無法導通。
• 當NMOS之閘極電壓大於某臨界電壓值時，電晶體呈現所謂的“導通狀態”，源汲極間電流可流通。



PMOS的改進
• 另一種方式
– 將通道加上正電壓，則閘極就形成相對負電
– 此時閘極接地就可產生通道現像


PMOS的工作原理
• 閘極為0時，通道導通
• 閘極為1時，通道反而不通
• 但是基底要接上正電源



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作者: 13698468382    时间: 2019-8-29 11:07
多谢，解惑了
作者: elec_hangzhou    时间: 2020-1-14 16:06
下下来看看有没有用
作者: tieq1952    时间: 2020-1-19 08:03
谢谢分享!!!



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