标题:
像2301那种mos导通后，VDS电压是0吗？也就是没有损耗?仿真是没有损耗的
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作者:
QWE4562012
时间:
2020-4-16 15:45
标题:
像2301那种mos导通后，VDS电压是0吗？也就是没有损耗?仿真是没有损耗的
如题
作者:
cjjdemon
时间:
2020-4-16 16:14
怎么可能没有损耗，都有导通内阻的，规格书上会定义。
作者:
1217724934
时间:
2020-4-16 17:00
mos的导通损耗和通过的电流和mos的内阻有关，可以自己计算下
作者:
学习单片机lq
时间:
2020-4-16 17:36
仿真是理想状态，琛想和现实的差别有些时候还很大
作者:
lfc315
时间:
2020-4-16 18:12
导通后，DS之间相当于是个小电阻，具体有多小，看规格书，有毫欧级的，也有欧姆级的。
作者:
wulin
时间:
2020-4-17 08:51
新型MOS管的饱和导通内阻在几毫欧到几十毫欧，做低频开关其损耗很小。但用于高频就不同了，随频率升高损耗也增大。
作者:
wulin
时间:
2020-4-17 08:52
新型MOS管的饱和导通内阻在几毫欧到几十毫欧，做低频开关其损耗很小。但用于高频就不同了，随频率升高损耗也增大。
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