ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介 -

标题: ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介 [打印本页]

作者: 英尚微电子 时间: 2020-8-3 15:58
标题: ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚功能完全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储时间相对较短的存储器。对其控制要求相对简单。由一个高速、4,194,304 位的静态RAM,可组成262,144个字(16位)。该器件由ISSI的高性能CMOS技术制造而成。将这种高可靠性的处理技术与创新的电路设计技术相结合，就产生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件

特性
●高速访问时间: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待电流
●TTL兼容接口电平
●单个3.3V电源
●完全静态操作:无需时钟和刷新
●三态输出.
●高低字节数据控制
●可用的工业级温度

IS61LV25616AL存储器的结构框图

当OE为高电平(不选)时，器件处于等待模式，功耗随着CMOS输入电平-起降低。

芯片使能输入CE和输出使能输入OE可方便实现存储器的扩展。低电平有效的写使能( WE )控制着存储器的写和读操作。高字节(UB)和低字节(LB )控制信号控制着对数据字节的访问。

IS61LV25616AL含有以下封装形式: JEDEC 标准44脚400-mil SOJ.44脚TSOPTypelI.44 脚LQFP和48脚MiniBGA(8mmX10mm)。

管脚配置

SRAM的主要特性

高速访问时间10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待电流; TTL兼容接口电平;单个3.3V 电源;完全静态操作无需时钟和刷新;三态输出;高低字节数据控制;可用的工业级温度SRAM的生产厂商很多，但是所生产的SRAM的内部结构大同小异

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