求助单片机通过光耦驱PMOS问题 -

标题: 求助单片机通过光耦驱PMOS问题 [打印本页]

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-14 20:06
标题: 求助单片机通过光耦驱PMOS问题
本人最近通过参考网上资料，设计了一个单片机通过光耦驱动 P沟道MOS 管，控制电磁阀的电路，由于本人新手小试，电路设计出来了，不知有没有问题，现向各位大神请教，电路是否可行，电阻是否匹配，那一个电路电阻更好。

mos2.png (14.29 KB, 下载次数: 144)

MOS1.png (13.93 KB, 下载次数: 138)

作者: Y_G_G 时间: 2020-9-14 23:25
不要光耦合器,不要,不要
一个电阻加一个N沟道的MOS管就可以了,请参考NPN三极管控制继电器的电路
不要把简单事情复杂化

作者: cuihaodianzi 时间: 2020-9-15 00:52
个人认为 R3 R5 R6 都不要，R4 到光耦第 4 脚之间串一个 10-100R 电阻

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 01:19
谢谢您的回复。
看了网上的NPN三极管控制继电器的电路的有关介绍，还是有些不明白。找到了这个：
https://www.dgzj.com/zhishi/danpianji/94941.html
一、使用单片机的低电平开启电磁阀，可能用P沟道的MOS管更好；
二、单片机与MOS管的直通，输出电流可能驱动不了P MOS吧，需要放大。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 01:20
这个求助一是要解决单片机控制多个电磁阀的问题，另一个原因就是想学习一下光耦与 MOS管的电路设计问题。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 01:27

cuihaodianzi 发表于 2020-9-15 00:52
个人认为 R3 R5 R6 都不要，R4 到光耦第 4 脚之间串一个 10-100R 电阻

R6控制电磁阀的电流的，这个应该保留吧。

作者: xianfajushi 时间: 2020-9-15 06:36
总的说电路考虑的还周到，就是R1、2、3可以省，光耦串联电阻大约在4K左右，这要看你选择在曲线的哪个位置决定电阻的值。P2口通常不需上拉，限流同接到IO合并即可。

作者: xianfajushi 时间: 2020-9-15 06:38
不过光耦这样接法还不是最优，最优应该用射随器驱动光耦。

作者: wulin 时间: 2020-9-15 07:08
MOS管是电压驱动型，用作低频开关几乎没有驱动电流。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 10:10

wulin 发表于 2020-9-15 07:08
MOS管是电压驱动型，用作低频开关几乎没有驱动电流。

谢谢，很有启发。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 10:14
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-15 10:33 编辑

xianfajushi 发表于 2020-9-15 06:36
总的说电路考虑的还周到，就是R1、2、3可以省，光耦串联电阻大约在4K左右，这要看你选择在曲线的哪个位置决 ...

综合7楼，3楼的意见，修改后的电路图是否合适？d:\MOSX1.png

MOSX1.png (12.1 KB, 下载次数: 127)

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 10:31

wulin 发表于 2020-9-15 07:08
MOS管是电压驱动型，用作低频开关几乎没有驱动电流。

这二个电路在单片机IO口输出低电平时能做到开、高电平关电磁阀么？我感觉有些问题。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 10:32
我做的只是一个电磁阀开关电路，要求也就是偶尔开一次，但开通和关闭要迅速，低延迟，且开通的时间非常短。

作者: xianfajushi 时间: 2020-9-15 11:08
修改后基本可以，用光耦驱动比较适合更广的后级元件选择，采用直接驱动得选低压驱动的场效应。至于时间的推算可参考选用元件的频率参数，主用是电磁阀的时间应该比电子元件的远远大。

作者: xianfajushi 时间: 2020-9-15 11:11
不过光耦的限流电阻似乎大了，流过发光管的电流是否符合光耦要求，还需要查看元件曲线去计算，应该用5-光耦发光管压降/电阻=电流

作者: wulin 时间: 2020-9-15 16:00

hebxk311a 发表于 2020-9-15 10:31
这二个电路在单片机IO口输出低电平时能做到开、高电平关电磁阀么？我感觉有些问题。

上面给你的两个图都是高电平驱动，如果你坚持要用低电平驱动可按下图连接。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 18:41

wulin 发表于 2020-9-15 16:00
上面给你的两个图都是高电平驱动，如果你坚持要用低电平驱动可按下图连接。

收到，有受益。谢谢回复。但是如图连接时，1.8K电阻是否会将12V都在PMOS上了，超过了SI2301的VGS=8V，下面应该加上一个1.8k的分压电阻，这样保证vgs=6v左右。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 18:44
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-15 18:45 编辑

首先，谢谢各位大神的无私指点，很受益。
在综合了各位大神的意见与建议，修改后的电路如下。

MOSX2D.png (24.1 KB, 下载次数: 94)

作者: wulin 时间: 2020-9-15 18:59

hebxk311a 发表于 2020-9-15 18:41
收到，有受益。谢谢回复。但是如图连接时，1.8K电阻是否会将12V都在PMOS上了，超过了SI2301的VGS=8V，下 ...

可以用两个1K电阻分压。低速开关，这个电阻大小不必太计较。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-15 19:40
首先，谢谢坛主将这个求助帖子移动到24小时必答区，至此才能得到各位大神的关照指点。
其次，谢谢诸位的热心指点，本人受益良多，对光耦、MOS管的驱动和连接问题有了更加深入的认识。

在综合了各位的意见与建议后，将最终电路修改为以下状态，这次应该可以用了。如有更好的意见与建议，也欢迎指点。

MOSX3D.png (27.58 KB, 下载次数: 83)

修改后的电路及参数

作者: wulin 时间: 2020-9-15 21:34

hebxk311a 发表于 2020-9-15 19:40
首先，谢谢坛主将这个求助帖子移动到24小时必答区，至此才能得到各位大神的关照指点。
其次，谢谢诸位的热 ...

R2纯属多余，R6的存在可能导致电磁阀功率不足，工作不可靠。

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-16 15:48

wulin 发表于 2020-9-15 21:34
R2纯属多余，R6的存在可能导致电磁阀功率不足，工作不可靠。

谢谢。在您的提醒下，仔细想了想，您的意见非常对。
R2原来是想为在没有R9时供PMOS泄压用的，下面增设了R9后，这个R2是没有用了。
R6算错了，今天仔细想了想，P=U^2/R , R=24, 这个应该是它本身的阻抗了，是不应该加R6这么个电阻，加了R6会导致该路电阻增加，电流降低，从而导致功率下降。
最终，取消R2,R6.

作者: xianfajushi 时间: 2020-9-16 16:22
电路设计有待提升的空间

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-16 16:52

xianfajushi 发表于 2020-9-16 16:22
电路设计有待提升的空间

谢谢指点，学习了。

作者: univers 时间: 2020-9-18 16:10
9#的方案最好。MOS管可以选低开启的MOS功率管

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-22 23:45
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-22 23:51 编辑

先谢谢大家。
根据各方面的意见，在最终选配元件后，电路和参数调整如下。

图片1.png (24.7 KB, 下载次数: 92)

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-22 23:50
这是最后确定的电路及参数。光耦的驱动电流在8mA左右，满足光耦驱动、单片机的要求。光耦主要是手头有P621。PMOS管从SI2301换成P5305，主要是考虑手工在洞洞板上焊接方便。

图片1.png (24.7 KB, 下载次数: 79)

作者: cuihaodianzi 时间: 2020-9-22 23:51

hebxk311a 发表于 2020-9-15 01:27
R6控制电磁阀的电流的，这个应该保留吧。

你的电磁阀是 12V 电源也是 12V ，还控制什么电流

作者: cuihaodianzi 时间: 2020-9-22 23:54

hebxk311a 发表于 2020-9-15 01:27
R6控制电磁阀的电流的，这个应该保留吧。

用 TC4420 试试吧，比较稳定，也没那么复杂，几块钱一个
电源和设备都是 12 V ，为什么还要限流呢

作者: hebxk311a 时间: 2020-9-22 23:54

cuihaodianzi 发表于 2020-9-22 23:51
你的电磁阀是 12V 电源也是 12V ，还控制什么电流

R6取消了，抱歉，给大家填麻烦了。主要是头脑一冲动，计算时考虑错了。

欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/)