标题: MSB30M-ASEMI快恢复软桥 [打印本页]
作者: 强元芯电子 时间: 2020-9-18 14:33
标题: MSB30M-ASEMI快恢复软桥
编辑-LL
MSB30M-ASEMI快恢复软桥
型号：MSB30M
品牌：ASEMI
封装：MSB-4
电性参数：3A 1000V
芯片材质：快恢复芯片
特性：贴片整流桥、快恢复软桥
快充整流桥相比传统充电器，它有哪些优势？
1、充电。氮化的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
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