标题: MSB30M-ASEMI快恢复软桥 [打印本页]

作者: 强元芯电子    时间: 2020-9-18 14:33
标题: MSB30M-ASEMI快恢复软桥
编辑-LL
MSB30M-ASEMI快恢复软桥
型号:MSB30M
品牌:ASEMI
封装:MSB-4
电性参数:3A 1000V
芯片材质:快恢复芯片
特性:贴片整流桥、快恢复软桥
快充整流桥相比传统充电器,它有哪些优势?
1、充电。氮化的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。







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