金属面晶体YSO110TR参数特点 -

标题: 金属面晶体YSO110TR参数特点 [打印本页]

作者: 电子元器件 时间: 2020-10-9 14:19
标题: 金属面晶体YSO110TR参数特点

金属面晶体YSO110TR

　　升级款贴片有源晶振,性能更优

　　超小型SMD金属封装、可达工业级温度

　　1612/2016/2520/3225/5032/7050六种封装尺寸

　　符合RoHSren证、无铅环保

　　金属面晶体YSO110TR特点：

　　频率范围：1~54MHz

　　频差(25℃)：±10PPM，±20PPM，or specify

　　老化(zui大)：±3PPM/年

　　温度范围：-40~+85℃

　　电压：1.8~3.3V

　　输出方式：CMOS

　　体积：1612,2016,2520,3225,5032,7050

　　取代型号：YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR

　　应用：WLAN、蓝牙、DSC、DSL等IT产品

　　金属面晶体YSO110TR电气规格：

　　输出频率范围：1~54MHz或指定

　　输出类型：互补金属氧化物半导体

　　供电电压：1.8V ~ 3.3V

　　振荡模式：基本

　　频率公差(25℃)：±10ppm、±20ppm，或另行规定

　　输出负载：15pf,或指定

　　工作温度范围：-40~+85℃、-40~+125℃，或指定

　　频率对温度特性：±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定

　　存储温度范围：-55 ~ + 125℃

　　电压Vol(zui大)/Vol(zui小)：90%Vddzui小/10%Vddzui大

　　对称：45 ~ 55%

　　上升(Tr)/下降(Tf)时间：4nsmax。

　　启动时间：3 msmax。

　　频率老化(at25℃)：±3ppm/yearMax

　　金属面晶体YSO110TR包装尺寸：

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