25N120-ASEMI(MOS管)大功率场效应管 -

标题: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率场效应管 [打印本页]

作者: 强元芯电子 时间: 2020-11-13 14:06
标题: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率场效应管

编辑：LL

ASEMI品牌 25N120 MOS场效应晶体管插件封装 MOSFET

型号：25N120

封装：TO-247/3P

漏极电流（VDS）：25A

漏源电压（ID）：1200V

工作温度：-55℃~150℃

种类：场效应晶体管/MOSFET

品牌：ASEMI

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

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