SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V -

标题: SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V [打印本页]

作者: 强元芯电子 时间: 2020-11-18 14:16
标题: SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V

编辑：LL

SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V

ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET

型号：SYM601

封装：SOT-89

漏极电流（VDS）：1A

漏源电压（ID）：600V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：贴片

种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。

作者: sml008 时间: 2021-3-17 20:21
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