MOS降低发热功耗除了并联还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以... -

标题: MOS降低发热功耗除了并联还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以... [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2020-11-23 11:56
标题: MOS降低发热功耗除了并联还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以...
MOS降低发热功耗除了并联还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以减小，不过好像会影响同步的开关速度。不同步开关的话MOS可能就烧了

MOS降低功耗.jpg (163.09 KB, 下载次数: 29)

作者: hcfat51h 时间: 2020-11-23 16:42
还有零电压关断或零电流关断

作者: gaoguodong93 时间: 2020-11-23 17:04
增加开关速度可以减少开关损耗

作者: gaoguodong93 时间: 2020-11-23 17:04
减少开关损耗

作者: QWE4562012 时间: 2020-11-23 18:15

hcfat51h 发表于 2020-11-23 16:42
还有零电压关断或零电流关断

如何实现

作者: cccc888 时间: 2020-11-23 18:58
zvs，zcs 电源可以，电机驱动不了解

作者: 张天师 时间: 2020-11-23 20:14
提升驱动电压和电流，开关频率尽可能降到能接受的范围

作者: wwbiu 时间: 2020-11-24 10:35

张天师发表于 2020-11-23 20:14
提升驱动电压和电流，开关频率尽可能降到能接受的范围

开关频率增加才对，用16KHz , 调节占空比控制电流，占空比不能超过80%

作者: wang505200630 时间: 2020-11-24 11:18
试试可不可以搞成同步整流之类的，可以减小损耗，不过导通损耗不会减少

作者: HAPPY3 时间: 2021-11-24 17:18
加散热器

作者: fishafish 时间: 2024-7-6 21:03
并联同时要增加驱动芯片

作者: aqun 时间: 2024-7-7 19:20
实现ZVS 零电压关断，是可以减少功耗的

作者: wufa1986 时间: 2024-7-8 08:24
只能改善驱动和散热，这个内阻已经很低了

作者: TTQ001 时间: 2024-7-8 09:10
选择具有更高电流额定值和更低导电Rds的MOSFET。

作者: ZSJM 时间: 2024-7-8 09:40
并联管子, 主要还是单个管子的允许功耗是有限的,

多个管子的散热的成本要低于单个管子(总功耗相同的情况下) 单个管子热量如果传导出去,温升会超标.每个封装,它的导热系数,导热面积是有限的.

D2-PAD封装, 热阻大概是40~60度/W. 如果功耗是2W, 单个管子就超标了,2个管子,每个管子功耗就是原来的一半.温升就在使用范围内.
有条件,选择TO-220类的封装,容易另加散热片,减小热阻.当然要看产品允许空间.
降低功耗, 如改变开关频率, 改善开关管开关速度, 实际大部分成熟的电路,改善余度有限. 这也就是实际使用中,普遍使用管子子并联.

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