GBL806-ASEMI品牌氮化镓快充整流桥 -

标题: GBL806-ASEMI品牌氮化镓快充整流桥 [打印本页]

作者: 强元芯电子 时间: 2020-11-30 17:50
标题: GBL806-ASEMI品牌氮化镓快充整流桥

编辑：LL

GBL806-ASEMI品牌氮化镓快充整流桥

ASEMI品牌氮化镓快充整流桥 GBL806/ GBL-4 插件封装

型号：GBL806

品牌：ASEMI

封装：GBL-4

正向电流：8A

反向电压：600V

芯片个数：4

芯片材质：GPP

工作温度：-50℃~150℃

封装形式：插件

GBL806-ASEMI品牌氮化镓快充整流桥采用氮化镓材料，相比传统充电器，散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高。散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。

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