薄晶片有四种主要方法 -

标题: 薄晶片有四种主要方法 [打印本页]

作者: jfkj2020 时间: 2021-1-8 10:20
标题: 薄晶片有四种主要方法

薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）大气下游等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。

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薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）大气下游等离子体干法化 ...

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