等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作 -

同刻蚀一样，干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中．并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态，因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化（ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中，等离子体由微波，射频和UV臭氧源共同作用产生。