标题: 有个快速关断MOS管的电路是这样的,哪个知道具体的工作原理的?是如何快速关断的? [打印本页]

作者: QWE4562012    时间: 2021-1-25 09:20
标题: 有个快速关断MOS管的电路是这样的,哪个知道具体的工作原理的?是如何快速关断的?
有个快速关断MOS管的电路是这样的,哪个知道具体的工作原理的?是如何快速关断的?

MOS加速关断电路.png (11.4 KB, 下载次数: 97)

MOS加速关断电路.png

作者: wufa1986    时间: 2021-1-25 10:48
从电路看这个并不能快速关断VGS,R22太大了
作者: 名字不是重点    时间: 2021-1-25 10:54
Nmos管要快速关断,就要把G极接低,越低越快,能负压最好
作者: 钟志伟    时间: 2021-1-25 11:07
MOS在G极的驱动电阻上并个快恢复二极管就可以快速关断了,IGBT就要用负压关断
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-25 16:30
名字不是重点 发表于 2021-1-25 10:54
Nmos管要快速关断,就要把G极接低,越低越快,能负压最好

如何实现   具体说说
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-25 16:30
wufa1986 发表于 2021-1-25 10:48
从电路看这个并不能快速关断VGS,R22太大了

和R22有啥关系   分析下?这个不是基极的电阻啊
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-25 16:31
钟志伟 发表于 2021-1-25 11:07
MOS在G极的驱动电阻上并个快恢复二极管就可以快速关断了,IGBT就要用负压关断

他这个是串联  所以我也没看懂。。。。。。
作者: f556    时间: 2021-1-26 00:50
电路图不全,应该是R19快速拉低Vgs关断
作者: xhaity    时间: 2021-1-26 08:50
怎么看就像是个上电开关电路,可能是防反接的上电开关电路,上一个快速关断电路供参:




作者: TTQ001    时间: 2021-1-26 09:36
当为Q1的发射极提供电源电压时,PNP Q1始终导通。 NMOS Q2的栅极电压比源极高15V,因此Q2导通。 当Q1的发射极被拉低时,Q1截止,Q2的栅极被拉至低电平,因此Q2截止。 R22用于快速释放栅极-源极电荷。
作者: xhaity    时间: 2021-1-26 10:20
我怎么觉得R22就像NPN二极管, 基极和发射极直接接电阻一样的功能,防止误触发。
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-26 14:08
f556 发表于 2021-1-26 00:50
电路图不全,应该是R19快速拉低Vgs关断

R2左边是IO驱动信号
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-26 14:09
xhaity 发表于 2021-1-26 08:50
怎么看就像是个上电开关电路,可能是防反接的上电开关电路,上一个快速关断电路供参:

是怎么实现快速关断的?
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-26 14:16
TTQ001 发表于 2021-1-26 09:36
当为Q1的发射极提供电源电压时,PNP Q1始终导通。 NMOS Q2的栅极电压比源极高15V,因此Q2导通。 当Q1的发射 ...

CO是单片机出来的   CO高电平的时候  Q2导通   既然Q1始终导通   那Q1的意义是?还是说CO为高的时候Q1才导通?这是一个加速关MOS的电路,没体现快在哪里啊

快速关断.png (31.94 KB, 下载次数: 89)

快速关断.png

作者: 学习单片机lq    时间: 2021-1-26 14:31
这个电路从R2来的信号只能使Q2导通,截止的信号可能是从R19来的,电路不全。
作者: rundstedt    时间: 2021-1-26 16:38
Q1D1全都画错了,这图明显是抄板抄出来的,还抄错了。
作者: xhaity    时间: 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就没多大用了,5.1K差不多,Q1三极管当作二极管用, 比二极管压降低,电路不全,脑补其它部分,就是电池的充放电管理的开关电路, 不牵扯nmos快速关断电路。
作者: TTQ001    时间: 2021-1-27 09:30
表示当信号CO为高时,晶体管Q1始终导通,当CO接地时,Q1截止,Q2,Q5也截止,然后电阻R19和R20通过R22快速释放Q2和Q5的栅极电荷 。
作者: 学习单片机lq    时间: 2021-1-27 10:58
QWE4562012 发表于 2021-1-26 14:16
CO是单片机出来的   CO高电平的时候  Q2导通   既然Q1始终导通   那Q1的意义是?还是说CO为高的时候Q1才 ...

怀疑这个电路有问题,稳压管Z2用到了15V,说明这里需要接近15V的驱动信号,可能两只功率管是IGBT,而单片机输出太低,三极管是用来对信号进行电压放大的。
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-27 17:39
rundstedt 发表于 2021-1-26 16:38
Q1D1全都画错了,这图明显是抄板抄出来的,还抄错了。

不是的   是FAE提供的   源文档是AD 用PADS导进来的
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-27 17:40
xhaity 发表于 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就没多大用了,5.1K差不多,Q1三极管当作二极管用, 比二极管压降低,电路不全,脑补其它部分,就是 ...

恩   我感觉你有水平! 烦请告知下Q1和D1有何用意
作者: QWE4562012    时间: 2021-1-31 09:46
xhaity 发表于 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就没多大用了,5.1K差不多,Q1三极管当作二极管用, 比二极管压降低,电路不全,脑补其它部分,就是 ...

这是CW提供的完整的电路

51hei图片20210131094339.png (141.88 KB, 下载次数: 94)

51hei图片20210131094339.png

作者: 学习单片机lq    时间: 2021-1-31 15:26
QWE4562012 发表于 2021-1-31 09:46
这是CW提供的完整的电路

这次的图应该是正确的了,这就是通常说11串锂电池保护板电路图,没有单片机。CO是充电保护端,DO是放电保护端,平时都是高电压(比通常说的5V高电平还高得多),保护时为零。Q3和R22就是起快速关断作用的。而那个D1是在产生充电保护后起防止电流倒灌作用的。
作者: QWE4562012    时间: 2021-2-1 10:50
学习单片机lq 发表于 2021-1-31 15:26
这次的图应该是正确的了,这就是通常说11串锂电池保护板电路图,没有单片机。CO是充电保护端,DO是放电保 ...

D1是怎么防止倒灌的?我感觉你是做BMS的
作者: QWE4562012    时间: 2021-2-1 10:51
学习单片机lq 发表于 2021-1-31 15:26
这次的图应该是正确的了,这就是通常说11串锂电池保护板电路图,没有单片机。CO是充电保护端,DO是放电保 ...

Q3和R22是如何快速关断的呢




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