功率MOS体二极管通流能力与发热问题 -

标题: 功率MOS体二极管通流能力与发热问题 [打印本页]

作者: mayouzhen2008 时间: 2021-6-1 09:18
标题: 功率MOS体二极管通流能力与发热问题
器件手册中体二极管的通流能力是和MOS本身通流能力相同，但同样的电流，器件发热情况是否一样？用其体二极管作为电流通道会存在什么弊端？

作者: dbxzjq 时间: 2021-6-1 11:46
发热这个情况,看MOS管的内阻,如果作为纯开关使用,选用更低内阻的MOS,二极管一般只作保护作用,也可以使用外接二极管的方式,如果作为线性调整管,发热也是肯定的,压降越大,发热会更严重

作者: MJZJ 时间: 2021-8-11 17:35
首先MOSFET规格书里面讲的通流能力与提二极管一样，那个在理想条件下，散热面积很大的情况，实际要看你成品下的散热条件，如果你说你的散热条件很好，那提二极管确实通流能力很强

作者: lfc315 时间: 2021-8-12 10:27
正常导通时压降很小，发热应该不太明显；
只是体二极管导通时，通常压降大于0.7V，这时候发热应该就比较剧烈了。

作者: wskufo 时间: 2021-8-12 13:13
MOS管导通压降明显低于二极管，低压大电流的开关电源用mos管同步整流，降低温度与功耗。

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