关于STM32f103RCT6的flash检测问题 -

标题: 关于STM32f103RCT6的flash检测问题 [打印本页]

作者: 胡凯哥 时间: 2021-9-11 17:56
标题: 关于STM32f103RCT6的flash检测问题
大佬们，本人正在学STM32，STM32的flash可以擦写10万次，是整个flash擦写10万次，还是一个片区（2KB）的空间可以擦写10万次，如果是一个片区擦写10万次的话，当0x08004000到0x08004800这个片区擦写了10万次，坏死了。怎么用程序检测这个片区是否已经坏死，坏死以后将数据保存到下一个片区。本人用的是stm32f103RCT6的开发板。然后使用的是页擦除。就是每次写入数据之前，都要擦除0x08004000到0x08004800这个片区。

作者: abob 时间: 2021-9-11 18:19
那就只能写入后读出来看看对不对了。这样很麻烦。每次都要读。干脆你就每次把所有片区写满后留下当前片区剩下全擦除循环使用就好了。设计的时候计算好寿命就行了。

作者: daemondong 时间: 2021-9-13 08:46
如果确定要达到或超过10万次，你应该用轮流写的方式，比如0x08004000-0x08004800，0x08004800-0x08005000，0x08005000-0x08005800，0x08005800-0x08006000，这样就40万次了。

作者: yzwzfyz 时间: 2021-9-13 09:11
只是承诺一个概数，10万次用不坏的。承诺10万次的人做不到那么准。

作者: 胡凯哥 时间: 2021-9-13 12:17

daemondong 发表于 2021-9-13 08:46
如果确定要达到或超过10万次，你应该用轮流写的方式，比如0x08004000-0x08004800，0x08004800-0x08005000， ...

是不是这样的哦！这个只是我想的那样，10万次是整个flash的擦写次数，还是一个片区的擦写次数？

作者: 胡凯哥 时间: 2021-9-13 12:21

yzwzfyz 发表于 2021-9-13 09:11
只是承诺一个概数，10万次用不坏的。承诺10万次的人做不到那么准。

我也知道他们做不了那么准。现在我的问题是：怎么检测flash片区是否已经被擦坏(通过程序实现)，擦坏以后需要把数据往下一个片区存放。

作者: daemondong 时间: 2021-9-13 12:46

胡凯哥发表于 2021-9-13 12:17
是不是这样的哦！这个只是我想的那样，10万次是整个flash的擦写次数，还是一个片区的擦写次数？

所有flash每个字节都是10万次，这个是物理性能。所以你要大于10万次，只能轮流用。

作者: 188610329 时间: 2021-9-13 14:12
片区，是逻辑上的，不是物理上的，坏的时候，并不是这个片区，那个片区坏，而是整个Flash 呈现不稳定存储不稳定状况。你是无法确定，具体哪里坏的，因为，坏，不是说一下子不能读些，或者说一下子就全变00，或者FF了，而是，可能你存了0xFF, 其中低位坏了，只有高位还好，就变 0xFE了，这是针对一个字节而言，对于整个片区，就是各个地方随机性出现储存不稳定状态。再往后才是写不进数据，应该说，写操作执行是成功的，但是，内容是错的。二这种情况，不会只存在于这个片区，而是整个Flash, 如果你的程序同在一个物理Flash中，程序也会不稳定。
所以，如果你的写操作频繁，建议所有能写得地方，轮写，写满后擦除。超过一小时才写1次的话……，就不要操这个心了，10年都写不够10万次，而你做的东西，绝对用不满10年。

作者: 胡凯哥 时间: 2021-9-13 15:18

188610329 发表于 2021-9-13 14:12
片区，是逻辑上的，不是物理上的，坏的时候，并不是这个片区，那个片区坏，而是整个Flash 呈现不稳定存储 ...

明白了，谢谢！

作者: zyluglugl 时间: 2021-9-14 07:16
可以用外部存储呀，干嘛跟他较上劲呀！

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