标题: MOS管门极驱动电路 [打印本页]
作者: QWE4562012    时间: 2021-10-8 15:15
标题: MOS管门极驱动电路
问题

1.Q2的存在为什么可以加速Q门极输入电容的放电？

2.D1的作用?是加速Q导通？D1为什么可以加速

作者: wskufo    时间: 2021-10-8 15:45
当正向脉冲消失时，Q2由于得到偏置电压，结电容上的电荷通过10欧电阻限流迅速对地放电，为下次正向触发做好准备。
作者: wskufo    时间: 2021-10-8 15:47
我记着哟的电路是D1位置是一个电阻与二极管并联的，二极管导通压降一定，所以加速Q导通。
作者: QWE4562012    时间: 2021-10-8 15:48
wskufo 发表于 2021-10-8 15:45
当正向脉冲消失时，Q2由于得到偏置电压，结电容上的电荷通过10欧电阻限流迅速对地放电，为下次正向触发做好 ...

你好   结电容上的电荷通过10欧电阻限流迅速对地放电-----为什么用三极管就可以加速呢
作者: xianfajushi    时间: 2021-10-8 15:50
这是谁设计的电路?场效应管驱动电压=3.3-0.6-0.6?二极管阻止结电容其他支路放电而已.不如直接用推挽电路更直接.
作者: wskufo    时间: 2021-10-8 16:00
QWE4562012 发表于 2021-10-8 15:48
你好   结电容上的电荷通过10欧电阻限流迅速对地放电-----为什么用三极管就可以加速呢

如果不用Q2放电，就得在MOS管G  S之间接一个下拉电阻，用于无正向脉冲式反偏关断，通常2K~10K左右，那个放电速度多慢啊。
作者: yzwzfyz    时间: 2021-10-9 14:15
栅极是绝缘的，所以可以看成是一个电容。电容上的电压就是栅极电压。
关断MOS时，这个电容上的电荷如何快速放电呢？明白了吧。研究一下它的放电路径。



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