关于MOS管的漏电流 - - Powered by Discuz!

标题: 关于MOS管的漏电流 [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2021-10-12 17:01
标题: 关于MOS管的漏电流

在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了

这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。

NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？

我看都是在1uA以上最大有没有更小的

PMOS管 IGSS&IDSS漏电流.png (222.99 KB, 下载次数: 51)

PMOS管IGSS& IDSS漏电流.png (115.5 KB, 下载次数: 58)

作者: ucmic 时间: 2021-10-13 07:46
这个是反映mos

作者: ucmic 时间: 2021-10-13 07:48
这个是反映mos导通时的需要的电流电压吧，关机功耗与电路设计有关。

作者: QWE4562012 时间: 2021-10-13 17:39

ucmic 发表于 2021-10-13 07:48
这个是反映mos导通时的需要的电流电压吧，关机功耗与电路设计有关。

看来你连规格书都没看懂小朋友

作者: hcfat51h 时间: 2021-10-14 12:16
那个是Vds=20V时候的电流,你电压Vds在3-5V时的漏电池就小了

作者: QWE4562012 时间: 2021-10-15 19:09

hcfat51h 发表于 2021-10-14 12:16
那个是Vds=20V时候的电流,你电压Vds在3-5V时的漏电池就小了

取决于VGS&VDS？还有Ron？

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