关于mos管开关速度问题 -

标题: 关于mos管开关速度问题 [打印本页]

作者: 0孙悟空0 时间: 2021-10-25 13:59
标题: 关于mos管开关速度问题
单片机驱动IO口，光耦那3脚上下沿稳定时间基本1ms以内，但是mos管开关波形那上下沿基本40ms左右，图中漏极已经通过接线端子连接上+KM和10K电阻了，请问为啥开关那么慢，如何改善。图中+KM是对地110v/220v

作者: Hephaestus 时间: 2021-10-25 15:01
查datasheet里面Cgs有多大你就知道为什么那么慢了。

作者: 0孙悟空0 时间: 2021-10-25 15:13

Hephaestus 发表于 2021-10-25 15:01
查datasheet里面Cgs有多大你就知道为什么那么慢了。

看了数据手册了，上面写的开关时间都是几百ns

作者: yzwzfyz 时间: 2021-10-25 15:54
MOS的栅极对地是不导通的，它相当于是电容。
当打通MOS时栅极电压为高，是由光藕提供的，很快电压就上去了（充电电阻很小）。
当关闭MOS时，栅极电容的放电只能通过R10，这个电阻是10K，放电当然就慢了。放电慢，栅极电压下降就慢，速度就上不去了。
改善的方法是，关断是，让放电回路电阻变小！！
明白道理后，改进不困难。

作者: wulin 时间: 2021-10-25 15:56
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

作者: Hephaestus 时间: 2021-10-25 16:03

0孙悟空0 发表于 2021-10-25 15:13
看了数据手册了，上面写的开关时间都是几百ns

查了下你管子的datasheet，里面有Qgs、Qg的参数，你仔细想想用你现在这点电流把电荷搬来搬去需要多少时间吧。

作者: 0孙悟空0 时间: 2021-10-25 16:19

wulin 发表于 2021-10-25 15:56
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

1ms级别就行了，但是实际几十ms

作者: 0孙悟空0 时间: 2021-10-25 16:30

yzwzfyz 发表于 2021-10-25 15:54
MOS的栅极对地是不导通的，它相当于是电容。
当打通MOS时栅极电压为高，是由光藕提供的，很快电压就上去了 ...

大佬，不是这个问题，我门极即栅极输入那测波形，上下沿就是0.4ms内完成，但是，漏极输出下降沿沿2.多ms，上升沿80多ms

51hei图片_20211025162913.jpg (168.06 KB, 下载次数: 81)

作者: 0孙悟空0 时间: 2021-10-25 16:31

wulin 发表于 2021-10-25 15:56
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

您在看看上面的回复，栅极输入上下沿都是0.2ms符合要求的，但是漏极输出那上升沿80多ms

作者: wulin 时间: 2021-10-25 16:57

0孙悟空0 发表于 2021-10-25 16:19
1ms级别就行了，但是实际几十ms

此图控制MOS管开关上下沿可以小于1us。

作者: Y_G_G 时间: 2021-10-25 16:58
这种接法,输出上升是关断,下降才打开
R10换成1K的,或者反接一个二极管试一下
下降不够快的话,加大驱动电压和电流

作者: liulei99 时间: 2021-10-26 08:59
漏极220v可以用示波器量么？

作者: hcfat51h 时间: 2021-10-26 09:14
817光藕驱动电流有限,要加驱动电路才能让MOS管加速导通,要么换MOS,要么加个三极管

作者: rsx9583 时间: 2021-10-26 10:44
MOS理论上是电压控制器件，但需要高速的时候，则需要很大的驱动电流，因为栅极电容的存在，导通就是需要给电容充电。所以光耦电流太小了，所以速度起不来，最简单的是按照10楼的，用图腾柱驱动。

作者: hhh402 时间: 2021-10-26 11:52
14楼已经说明原理了，楼主这种驱动只适合做开关时间大于1秒的情况。最简单是5VIO脚直接驱动MOS管可以满足楼主的要求，IO脚到地要接一个5.1V稳压管保护就可以了。

作者: xianfajushi 时间: 2021-10-26 12:42
把光耦与电阻位置对调试看

作者: xianfajushi 时间: 2021-10-26 12:44
否则的话使用推挽电路

作者: jackwangorpc 时间: 2021-10-26 12:53
80多ms的话那就和驱动电路没关系了，要看看负载的阻抗特性

作者: 保夫鲁沙 时间: 2021-10-26 15:50
改用推挽输出驱动。这种光耦关断很慢的，参考TPL715这种。

作者: lfc315 时间: 2021-10-26 16:34
漏极输出下降沿沿2.多ms，上升沿80多ms
是因为你的漏极负载是R9，电阻值大，电压上升自然慢。

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