MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基 -

标题: MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基 [打印本页]

作者: 强元芯电子 时间: 2021-11-5 10:46
标题: MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基
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MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基MBR60100PT
型号：MBR60100PT
品牌：ASEMI
封装：TO-247
电性参数60A 100V
正向电流：60A
反向耐压：100V
引脚数量：3
芯片个数：2
芯片尺寸：150MIL
封装尺寸：如图
特性：大电流、肖特基
浪涌电流：500A
工作温度：-65~+175℃
肖特基原理：
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

ASEMI全系列封装图

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