求一个检测到参数改变就往EEPROM中写入的MCU程序框架 -

标题: 求一个检测到参数改变就往EEPROM中写入的MCU程序框架 [打印本页]

作者: hxdby 时间: 2022-2-28 16:58
标题: 求一个检测到参数改变就往EEPROM中写入的MCU程序框架
现在要做一个小的监控器，需要设置监控时间，为了每次开机时不需要一直设置时间，需要在每次关机前保存当前参数，下次开机前就不需要重新设置了。

现在是想把时间参数保存到EEPROM中，当设置好时间时，同时就自动写入EEPROM中，下次开机后再读取。如果时间没有被改动，就不需要重复写入，只是检测到时间改动后再写入。

比如如果当前时间设置是20分钟，如果这一天中，时间设置的都是20分钟, 没有设置新的时间，就保存20分钟到EEPROM, 如果上午设置的是20分钟，下午设置了新的时间30分钟，当检测到时间改变时，就把30写进EEPROM, 覆盖之前的20. 简单说就是把最后一次设置的时间写入EEPROM.

不需要掉电检测，初步就是这个想法，只需检测时间参数改动就往EEPROM中写入新的参数保存，不改动就不写。

求一个大概的程序框架，只需要检测到时间参数改动就往EEPROM中写，以及下次开机读取的大致程序。不需要EERPOM本身的读写程序。

感谢各位！

作者: wulin 时间: 2022-2-28 20:31
if(a!=b)
{
b=a;
//保存b到EEPROM中
}

作者: 188610329 时间: 2022-2-28 20:47
Eeprom 大体有三种,
一种是片外Eeprom:  比如 AT24C02, 一般需要通过 IIC 传输协议进行读写。写一个字节大约需要 40us 左右的时间。
一种是片内Eeprom:  51系列来讲，比较有代表性的就是 WCH 的  CH55x系列，读写都比较方便，就是写几个寄存器，写一个字节，大约需要5us 左右。
还有一种就是片内Flash 模拟 Eeprom，比较有代表性的就是STC的全系列。基本和片内Eeprom 用起来差不多，最大的区别就是不能改写，只能整个扇区擦出后，重写，如果你要使用这种Eeprom 的话，就要考虑一个擦除问题，因为擦除一个扇区的时间大约需要 21ms，而单片机在理想状态下，从感知掉电到彻底没电，或者说剩余电量可以用来操作Eeprom 的存留时间不超过10ms，所以，你要在掉电是存储Eeprom必须在感知掉电前就完成了扇区擦除工作。这个在程序里必须提前做好。其他的就是普通操作了。

作者: hxdby 时间: 2022-2-28 23:15

wulin 发表于 2022-2-28 20:31
if(a!=b)
{
b=a;

哈哈，这么简单嘛

作者: hxdby 时间: 2022-2-28 23:16

188610329 发表于 2022-2-28 20:47
Eeprom 大体有三种,
一种是片外Eeprom: 比如 AT24C02, 一般需要通过 IIC 传输协议进行读写。写一个字 ...

谢谢，我用的是AVR单片机，不知道擦除EEPROM是不是先要擦除扇区，以前从来没用过EEPROM

作者: hxdby 时间: 2022-3-7 22:32

wulin 发表于 2022-2-28 20:31
if(a!=b)
{
b=a;

有个问题请教下，我现在需要保存的数据有100多个，如果有改动就保存的话，要设置100多个变量，程序太长了，写下来累死了。有没有比较简单方便的写法，比如循环之类的，可以方便的实现你这个功能的？谢谢

作者: chenchuanke 时间: 2022-3-7 22:50

hxdby 发表于 2022-3-7 22:32
有个问题请教下，我现在需要保存的数据有100多个，如果有改动就保存的话，要设置100多个变量，程序太长 ...

用指针可以实现

作者: hxdby 时间: 2022-3-7 23:34

chenchuanke 发表于 2022-3-7 22:50
用指针可以实现

明白，谢谢，我研究下

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