关于栅极驱动器的几个问题 -

标题: 关于栅极驱动器的几个问题 [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2022-3-3 11:03
标题: 关于栅极驱动器的几个问题

栅极驱动器的几个问题

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作者: 人工置顶员 时间: 2022-3-4 06:24
顶一下

作者: 蓝魄 时间: 2022-3-4 08:13
当然不能去掉，那个二极管是给自举电容充电的，当下管导通时，电容充电，当打开上管时，用的是电容放电回路，就是电容作为一个“电源”来驱动上管，电容作为一个电源的就相当于上管的S是电容的地了，这样就能解决浮地的问题。

作者: yzwzfyz 时间: 2022-3-4 14:27
1、低边MOS的驱动电压，是以GND为参考点的，例如：打通MOS的VGS需要5V，则lLO只要5V，低端MOS就通了。
2、高边MOS的驱动电压，是以TOLOAD为参考点的（源极），当HO=5V，高端MOS就不一定通了。如果这时TOLOAD=2V，则HO就必须达到7V。实际使用中，要看负载的情况而定。
3、如果LO取自VCC，则HO就必须超过VCC，所以就需要一个比VCC更高的电源。VB就是这个电源，C是这个电源的滤波器，由于VB>VCC，所以它俩不能连在一起。
4、又VB是需要内部振荡工作后才能抬升的，它的基电位（不振荡时）希望有一个较高的值，就选择了VCC，这个二极管就起作用了，它会将电容的基础电压抬到（充电）VCC，振荡器再提升一点，两者合成VB就有了。

作者: Hephaestus 时间: 2022-3-4 23:35
电容的下端接近地电平，VCC通过这个二极管给电容充电。电容下端为VCC的时候，电容给VB引脚提供超过VCC的电压。

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