关于单片机内阻测试仪的电路分析问题 -

标题: 关于单片机内阻测试仪的电路分析问题 [打印本页]

作者: xiaosps 时间: 2022-5-25 13:55
标题: 关于单片机内阻测试仪的电路分析问题
我在论坛上找到个内阻测试仪的代码和电路图，
我想请教下，我圈出的地方是做什么用的？
按理说只要单片机管脚控制MOS管，开启放电就行了，为怎么这里搞两个二极管和两个电容？
求大牛解答

程序代码如下：

M8内阻测试仪制作文件.rar (191.67 KB, 下载次数: 33)

作者: xiaosps 时间: 2022-5-25 14:01
这个是使用直流通电法来测试内阻的程序及电路，如果哪位有交流法测内阻的程序可以分享一份给我吗？

作者: dz20060101 时间: 2022-5-25 14:38
红色区域是升压电路，将5V升高到9V，再用9V驱动场效应管让它充分导通。不然，光靠5V驱动，只比VGS(TH)高一点点，不容易充分导通。

作者: xiaosps 时间: 2022-5-25 14:59

dz20060101 发表于 2022-5-25 14:38
红色区域是升压电路，将5V升高到9V，再用9V驱动场效应管让它充分导通。不然，光靠5V驱动，只比VGS(TH)高一 ...

仅仅为了升压？但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬，我圈出的这个属于倍压输出电路吗？

作者: datouyuan 时间: 2022-5-25 15:40

xiaosps 发表于 2022-5-25 14:59
仅仅为了升压？但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬，我圈出的这个属于倍压输出 ...

是的，你圈出的这个属于倍压输出电路。

PD5=0时，5V通过VD3给C2充电，C2的最大电压是4.3V。
PD5=1时，C2通过VD4给C3充电，C3的最大电压是8.6V(5+4.3-0.7)。

作者: wc86110 时间: 2022-5-25 15:43
VT1VT2 ·· VT2 ON/OFF

作者: dz20060101 时间: 2022-5-25 17:22

xiaosps 发表于 2022-5-25 14:59
仅仅为了升压？但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬，我圈出的这个属于倍压输出 ...

对，就是为了升压。场效应管导通栅极最低大概需要4伏，用5V驱动不可靠。因此用升压来保证可靠性。栅极最高能承受20伏。

作者: dz20060101 时间: 2022-5-25 17:28

dz20060101 发表于 2022-5-25 17:22
对，就是为了升压。场效应管导通栅极最低大概需要4伏，用5V驱动不可靠。因此用升压来保证可靠性。栅极最 ...

补充一下，电路目的是测内阻。场效应管导通越充分，它的Ron越小，测量精度越高。

作者: xiaosps 时间: 2022-5-26 11:17

dz20060101 发表于 2022-5-25 17:28
补充一下，电路目的是测内阻。场效应管导通越充分，它的Ron越小，测量精度越高。

明白了，谢谢，原来为了降低场管的内阻，原来是这个意思，我还说呢，5V就能导通的干嘛非得搞那么多零件，增加外围电路，谢谢啦，我想下怎么处理这块的电路
再次，诚挚的感谢各位大佬的解惑。谢谢！

作者: xiaosps 时间: 2022-5-26 11:20

datouyuan 发表于 2022-5-25 15:40
是的，你圈出的这个属于倍压输出电路。

PD5=0时，5V通过VD3给C2充电，C2的最大电压是4.3V。

感谢老师的解惑，您分析的太清楚了，连电压都帮算出来了，感激。

作者: user2402167 时间: 2023-9-23 13:34
倍压电路

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