能不能一个单片机IO口同时控制三极管和MOS -

标题: 能不能一个单片机IO口同时控制三极管和MOS [打印本页]

作者: 李冬 时间: 2022-6-29 14:58
标题: 能不能一个单片机IO口同时控制三极管和MOS
三极管驱动继电器，MOS控制负载开关，用一个IO口同时打开

作者: 名字不是重点 时间: 2022-6-29 15:35
可以，但要做好缓冲量。不能直接把B极并在G极上

作者: xianfajushi 时间: 2022-6-29 15:38
可以驱动继电器同时驱动光耦控制MOS，驱动三极管同时驱动低压MOS

作者: haiyang201 时间: 2022-6-29 15:53
用两个光耦隔离保险点

作者: wwh2382 时间: 2022-6-29 16:14
继电器有多触点的，应该可以满足你的需求

作者: munuc_w 时间: 2022-6-29 16:16
可以的，注意驱动电路符合要求就可。

作者: taotie 时间: 2022-6-29 16:36

仿真一下，还可以。

作者: mengsiu 时间: 2022-6-29 19:15
可以的啊。IO口出来分两路，分别接限流电阻，再各自连接三极管和MOS管。

作者: wufeng391 时间: 2022-6-29 21:10
可以吧，一个IO同时驱动多个负载，并联驱动，只是中间是不是要加缓冲扩展一下IO的驱动能力。

作者:  时间: 2022-6-29 21:23
单片机带光耦，光耦再带这两个就行了

作者: Hephaestus 时间: 2022-6-30 01:47
什么叫负载开关？开关不是人手拨动得吗？什么时候可以用MOSFET驱动了？

作者: dj3365191 时间: 2022-7-1 18:36
可以的，但要处理好各个管子的接口电平，三极管0.5-0.7V导通，低压MOS管2.5V以上导通

作者: 17337161031 时间: 2022-7-1 19:27
可以，做好保护

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