标题: NMOS管驱动电路的问题 [打印本页]

作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-24 21:35
标题: NMOS管驱动电路的问题

目前是用三极管+PMOS的方式用单片机控制12V的负载
苦于PMOS的型号实在少得可怜,想用NMOS驱动
对于MOS管的理解甚浅
不明白是否是只要满足NMOS的导通条件就可以直接像驱动三极管一样使用?


因为是临时更换方案,没有什么试错的风险,故想麻烦各位大佬帮我把关一下争取一次就解决所有可能的风险
用的IO口是32位 3.3V的输出的单片机IO口
自我感觉好像这样就没啥问题了,是否是只要MOS管能承载3A的负载,就能驱动3A的负载是否启动?
不知道会不会影响IO口部分?


作者: Y_G_G    时间: 2022-7-24 21:35
第一个电路的R26用100K,Q12的G极和Q13的C极之间串联一个1K电阻
第二个电路的Q14的G极并联一个100K的电阻到地
两个电路都可以,区别只是高低电平导通和是否共地而已,一般是用NMOS管,这个电路元件少,好设计
用PMOS可以共地使用,有的电路必需要共地使用的
MOS管功率看条件来取,允许的话,用2倍左右电流
像3A负载电流可以选用AO3400(5.8A),PMOS管可以用AO3401A(4.3A),不差钱的可以用AO4409(15A随便你折腾)
作者: 一事无成    时间: 2022-7-24 23:55
3.3v一般不能直接驱动NMOS,要电平转换,并且单片机最好加隔离或者钳位,不然容易烧单片机。MOS要选大点的,不管是耐压还是耐流,数据手册上都是理想情况,启动瞬间电流也比较大,还有尖峰脉冲之类的。另外NMOS要加下拉电阻,防止误触发。
作者: wskufo    时间: 2022-7-25 07:23
前面加个高速光耦隔离驱动。
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 10:02
一事无成 发表于 2022-7-24 23:55
3.3v一般不能直接驱动NMOS,要电平转换,并且单片机最好加隔离或者钳位,不然容易烧单片机。MOS要选大点的 ...

明白,但是理论上来说达到启动电压VTH不就应该能导通了吗。我看现在NMOS都是2V左右就导通了
如果是电平转换的话,不知道是该怎么做?
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 10:04
Y_G_G 发表于 2022-7-25 00:15
第一个电路的R26用100K,Q12的G极和Q13的C极之间串联一个1K电阻
第二个电路的Q14的G极并联一个100K的电阻到 ...

是的!就是因为PMOS选来选去发现SOT23封装的最大才支持4.3A电流,感觉不符合我预留余量才想试着用NMOS
我看楼上楼下都说需要加隔离之类的,不知道要怎么添加?
或许也是类似于三极管+mos管驱动的模式?
光耦没怎么用过
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 10:05
wskufo 发表于 2022-7-25 07:23
前面加个高速光耦隔离驱动。

谢谢,有什么型号推荐吗
作者: wulin    时间: 2022-7-25 10:15


作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 10:23
wulin 发表于 2022-7-25 10:15

!您画续流二极管的时候我突然意识到
如果我同一个MOS控制两个负载
需要并两个二极管吗,还是一个二级管就可以了
作者: wulin    时间: 2022-7-25 11:09
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:23
!您画续流二极管的时候我突然意识到
如果我同一个MOS控制两个负载
需要并两个二极管吗,还是一个二级 ...

加续流二极管的目的是释放继电器绕组产生的反峰电压,以保护晶体管不被击穿。其保护对象只有一个,当然续流二极管只需一个。
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 11:10
wulin 发表于 2022-7-25 11:09
加续流二极管的目的是释放继电器绕组产生的反峰电压,以保护晶体管不被击穿。其保护对象只有一个,当然续 ...

明白了,NMOS是直接驱动就可以吗,因为我看有几楼是说需要加隔离什么的
作者: pcf2000    时间: 2022-7-25 11:11
第一个电路的MOS管  D、S极脚是不是接错了,MOS内部的二极管这样接法不是直接导通了吗?!
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 11:36
pcf2000 发表于 2022-7-25 11:11
第一个电路的MOS管  D、S极脚是不是接错了,MOS内部的二极管这样接法不是直接导通了吗?!

没有的,线绕了一下。你康康
作者: pcf2000    时间: 2022-7-25 12:07
一夜暴富 发表于 2022-7-25 11:36
没有的,线绕了一下。你康康

哈哈,真的看错了,绕了一下,以为是直接连接上的。。。
作者: Y_G_G    时间: 2022-7-25 14:00
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:04
是的!就是因为PMOS选来选去发现SOT23封装的最大才支持4.3A电流,感觉不符合我预留余量才想试着用N ...

第二个电路没注意看,如果是感性负载,二极管是要和负载并联的,不是接地的,已经有网友指正了
隔离,钳位,光耦,3.3V不能驱动NMOS,烧单片机的,不需要理会
如果12V和单片机共用一个电源,光耦就是多余
有的NMOS会标志VGS=10V,这是完全导通的电压,实际上并不需要那么高,而且,3.3V导通时的DS两极之间电阻也并不大,只是作为一个负载的通电和断电而已,随便用
至于用哪种电路,这个得你自己决定
作者: dj3365191    时间: 2022-7-25 14:07
没接反,要想让这些MOS管正常工作一定要选Super Low Gate Charge的管子,这样才能导通,比如QM3004D之类的都可以选择
作者: wskufo    时间: 2022-7-25 14:30
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:05
谢谢,有什么型号推荐吗

HCPL-0611
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 16:19
Y_G_G 发表于 2022-7-25 14:00
第二个电路没注意看,如果是感性负载,二极管是要和负载并联的,不是接地的,已经有网友指正了
隔离,钳位,光 ...

明白,根据大佬的信息,我觉得用NMOS 3400好像就不会有问题
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 16:33
wulin 发表于 2022-7-25 11:09
加续流二极管的目的是释放继电器绕组产生的反峰电压,以保护晶体管不被击穿。其保护对象只有一个,当然续 ...

大佬的回复也很有帮助,奈何只能选择一个最优回复
只能按时间顺序给另一位大佬了~
不过非常感谢二位

作者: wulin    时间: 2022-7-25 16:47
一夜暴富 发表于 2022-7-25 11:10
明白了,NMOS是直接驱动就可以吗,因为我看有几楼是说需要加隔离什么的

按15楼建议办,如果12V和单片机共地,无需光耦隔离。
作者: 一夜暴富    时间: 2022-7-25 19:58
wulin 发表于 2022-7-25 16:47
按15楼建议办,如果12V和单片机共地,无需光耦隔离。

好的~这就去改板子
作者: Tobby    时间: 2022-7-26 11:06
一夜暴富 发表于 2022-7-25 16:19
明白,根据大佬的信息,我觉得用NMOS 3400好像就不会有问题

我用3400出现mos烧坏了,电路你可以看下,现在还在找问题
http://www.51hei.com/bbs/forum.p ... p;page=1#pid1100322




欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/) Powered by Discuz! X3.1