A0D3400 mos管烧坏,是电流过大? -

标题: A0D3400 mos管烧坏,是电流过大? [打印本页]

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 10:02
标题: A0D3400 mos管烧坏,是电流过大?
MOS管用的是A0D3400 ,电路以及规格参数如下，负载最高电流2.6A，使用一个星期后出现2台mos烧坏，怀疑是电流过大（优信上买的是图标这款），但规格书能过4a,现在准备换成252封装的mos,但想找出原因，有没有人遇到过这问题

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 10:04

作者: 一夜暴富 时间: 2022-7-26 11:24
或许没加续流二极管保护？断电的时候烧掉了？
下拉按照贴吧大佬各位说的换成100K试试？其他确实看不出问题

作者: man1234567 时间: 2022-7-26 12:04
某一个宝上很多器件都标“国产小芯片”、“国产大芯片”、“进口原装”而且价格不一样，不排除有忽悠的成份，但万一是有些道理呢？

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 13:42

一夜暴富发表于 2022-7-26 11:24
或许没加续流二极管保护？断电的时候烧掉了？
下拉按照贴吧大佬各位说的换成100K试试？其他确实看不出问题

正常工作时烧掉，负载是电阻丝发热线，应该不是反向电动势导致烧坏

作者: 一夜暴富 时间: 2022-7-26 13:51

Tobby 发表于 2022-7-26 13:42
正常工作时烧掉，负载是电阻丝发热线，应该不是反向电动势导致烧坏

靠PWM驱动内阻太大了？我也不是很了解

艾特大佬来看看吧

作者: ly1972001 时间: 2022-7-26 15:08

作者: dj3365191 时间: 2022-7-26 15:41
选MOS管的电流参数通常要比实际工作电流大10倍使用才安全可靠

作者: lids 时间: 2022-7-26 15:54

Tobby 发表于 2022-7-26 13:42
正常工作时烧掉，负载是电阻丝发热线，应该不是反向电动势导致烧坏

电阻丝冷阻值比热阻值小很多，可能是这个问题

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-26 16:12
就是烧坏的,热坏的
因为你用的是PWM,MOS管的G极是有结电容的,对于PWM信号来说,就相当于一个电阻,这个电阻会把G极电压拉低,让MOS管不能完全导通,MOS管的电阻就加大了,发热量也就大了
你可以在加热的时候用红外枪测量一下MOS的温度
看一下你PWM信号的能力,把R19改到最小,或者把驱动电压改到10V
AO3400我经常用,持续5A电流随便工作,不会是电流的问题,是你驱动的问题

作者: shengzhen2007 时间: 2022-7-26 16:50

就是烧坏的,热坏的低,
1）MOS管工作在不能完全导通,MOS管的导通内阻变大,发热量也就大。
2）PWM驱动MOS管的能力不足，R19去掉；
3）输出的负载接de是什么。

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 17:17

Y_G_G 发表于 2022-7-26 16:12
就是烧坏的,热坏的
因为你用的是PWM,MOS管的G极是有结电容的,对于PWM信号来说,就相当于一个电阻,这个电阻 ...

嗯，应该是热坏的，附近电源DC部分加了个ss34做防反接处理，发热严重涂得热熔胶都融了，去掉后mos没这么烫
另外，PWM程序上仅做开关处理，90%和0输出，I0输出电压3.3/0，电阻R19改板的话直接去掉得了

作者: wulin 时间: 2022-7-26 17:19
电路图没有什么问题，如果单片机电源电压是5V，可以用252封装的AOD442或SUD50N06，IO口设置推挽模式，R19改10欧或不用。主要问题是PWM驱动能力不足，MOS管功耗大造成烧管。

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 17:22

ly1972001 发表于 2022-7-26 15:08

他数据手册上写也是5.8a，尴尬，不应该看他这手册的

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 17:26

shengzhen2007 发表于 2022-7-26 16:50
就是烧坏的,热坏的低,
1）MOS管工作在不能完全导通,MOS管的导通内阻变大,发热量也就大。
2）PWM驱动MOS ...

嗯嗯，改板把限流电阻去掉，负载接的是硅胶发热线，也就是电阻丝

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 17:28

man1234567 发表于 2022-7-26 12:04
某一个宝上很多器件都标“国产小芯片”、“国产大芯片”、“进口原装”而且价格不一样，不排除有忽悠的成份 ...

现在信了，还是直接找供应商保障

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 17:37

wulin 发表于 2022-7-26 17:19
电路图没有什么问题，如果单片机电源电压是5V，可以用252封装的AOD442或SUD50N06，IO口设置推挽模式，R19改 ...

嗯嗯，IO输出3.3vde

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-26 17:40

Tobby 发表于 2022-7-26 17:22
他数据手册上写也是5.8a，尴尬，不应该看他这手册的

这个数据手册是没有问题的呀,人家就一开店的,你以为个个都是科班出身的呀,我几年前就一直在这家店买元件,因为都在深圳,有时候几个小时就到了
几年前这家店的STC单片机都是"全新原装进口"的,可能是进口这个宣传口号好用吧,19年开始芯片缺货之后就没有这个"全新原装进口"了,可能是营销,也可能是经营中有那么几个科班的吧
这个型号的MOS管3.5A持续电流是不会有问题的,我一直买的就是这个店的这个型号
2.5A只是一个相对安全的工作电流而已
你是PWM控制就是另外一回事了

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-26 17:44

Tobby 发表于 2022-7-26 17:17
嗯，应该是热坏的，附近电源DC部分加了个ss34做防反接处理，发热严重涂得热熔胶都融了，去掉后mos没这么 ...

要么是提高驱动电压,不过,一般的PWM信号都是单片机的
要么是把串联的驱动电阻减小,个人感觉是把电阻减小,位置可以留着

作者: Tobby 时间: 2022-7-26 20:52

Y_G_G 发表于 2022-7-26 17:44
要么是提高驱动电压,不过,一般的PWM信号都是单片机的
要么是把串联的驱动电阻减小,个人感觉是把电阻减小 ...

把电阻改为15R，mos管还是有点烫，买了 UMW 的 3400，回来全部更换，不排除楼上说的国产的电流不够问题
，有没有其他sot23的mos推荐

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-26 21:23

Tobby 发表于 2022-7-26 20:52
把电阻改为15R，mos管还是有点烫，买了 UMW 的 3400，回来全部更换，不排除楼上说的国产的电流不够问题
...

SOT23封装MOS管电流大多都是在5A左右的,你就是换了也是好不好多少的
AO3400算是内阻比较小的了
不行的话,就得用高电压驱动了
你不是有12V电源嘛,搞个10V驱动试一下就知道了

作者: Tobby 时间: 2022-7-27 01:18
找到问题所在，驱动电压3.3v,Id输出2A,负载2.6A，所以mos还是会发烫

作者: Tobby 时间: 2022-7-27 01:25
将驱动电压转换成5v驱动，减去三级管压降也就是4.3v,这样就可以让mos输出4A电流了

作者: wulin 时间: 2022-7-27 07:10

Tobby 发表于 2022-7-27 01:25
将驱动电压转换成5v驱动，减去三级管压降也就是4.3v,这样就可以让mos输出4A电流了

楼主对21楼建议的理解有失偏颇。高频PWM驱动MOS管，MOS管功耗主要发生在ton和toff两个时段，提高MOS管开关速度是降低功耗的主要手段。3.3V改为4.3V驱动也不会有明显改观。饱和导通电阻相差几毫欧不会起什么明显降耗作用。

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-27 08:05

Tobby 发表于 2022-7-27 01:25
将驱动电压转换成5v驱动，减去三级管压降也就是4.3v,这样就可以让mos输出4A电流了

24#已经给你解释了,我就不复制了
并不是说3.3V不能完全导通就不能用大电流,
你试着给一个3.3V的高平一直供电,你看一下MOS管温度高不高
再对比一下用3.3V,90%占空比供电,你再看一下MOS此时的温度,十有八九是比高电平供电的温度高的
这个店的这个型号MOS,我买了几百个,一直在用,但都是开和关而已,5A以下电流从不考虑温度的,以前是8051驱动,现在是STM32驱动,一直都没有问题的

作者: Tobby 时间: 2022-7-27 11:23

wulin 发表于 2022-7-27 07:10
楼主对21楼建议的理解有失偏颇。高频PWM驱动MOS管，MOS管功耗主要发生在ton和toff两个时段，提高MOS管开 ...

嗯，学到了，谢谢

作者: Tobby 时间: 2022-7-27 11:24

Y_G_G 发表于 2022-7-27 08:05
24#已经给你解释了,我就不复制了
并不是说3.3V不能完全导通就不能用大电流,
你试着给一个3.3V的高平一 ...

好的，现在直接做开关处理了

作者: sttt300 时间: 2022-7-27 17:00
量一下MOS管G极在PWM模式下的波形，看看还是不是标准方波
如果波形明显失真，就是驱动能力不足，引起MOS发烫
除了R19改成10欧外，还可以加图腾柱电路增加驱动能力

作者: yueguang3048 时间: 2022-7-27 18:48
1。发热来自两点导通发热和开关发热，导通发热的话，按照你的规格书计算与环境温差会有19℃左右；开关发热你得自己找公式算算。
2.这个芯片参差不齐，得看实际用的哪款芯片，或者给个10V电压，根据发热大概推一下内阻。

Y_G_G说的方法不错，改变占空比，测芯片温度。

常开常关的话，这个芯片温度不会很高的。

作者: yzwzfyz 时间: 2022-7-28 09:35
如果猜的不错的话。负载是感性的。
建议在1+、1-之间加一个续流二极管。

作者: zjh135 时间: 2022-7-28 16:10
换成双MOS管

作者: Tobby 时间: 2022-8-2 13:38
更换A0D3400A目前一切正常，下面是备用方案，比较保障点，感谢楼上各位的帮忙

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作者: Tobby 时间: 2022-8-5 17:24

Tobby 发表于 2022-8-2 13:38
更换A0D3400A目前一切正常，下面是备用方案，比较保障点，感谢楼上各位的帮忙

备用方案测试，取消R22后mos基本上不发热，算是解决了发热问题

作者: TTQ001 时间: 2022-8-7 09:04
MOSFET的额定电流不够大。电阻加热器从低温启动时具有浪涌作用。因此，MOSFET 的额定电流应该比预期的大得多。

作者: Tobby 时间: 2022-8-7 12:22
本帖最后由 Tobby 于 2022-8-7 20:03 编辑

双IO控制，防止HEAT_PWM 失效（之前项目出现过IO失效），不知道还有没有更好的方案，可以推荐下

作者: Tobby 时间: 2022-8-7 12:23

TTQ001 发表于 2022-8-7 09:04
MOSFET的额定电流不够大。电阻加热器从低温启动时具有浪涌作用。因此，MOSFET 的额定电流应该比预期的大 ...

嗯嗯，是的，只是成本上会高点

作者: coody_sz 时间: 2022-8-7 15:38
一般是过流或过压烧坏。示波器看看GS电压是否变化缓慢，如是，则MOSFET饱和、截止不够迅速，损耗大，发热严重，热坏了。如果负载有感性，则会有反电动势，所以负载要并联一个快速二极管抑制反电动势。

作者: xiaohaibo81 时间: 2022-8-16 10:35
这个问题我刚好遇到过，用PWM控制的话，那个频率很重要。一般的MOS管只能低频驱动，用高频驱动就会烧MOS管。

作者: coody_sz 时间: 2022-8-16 12:00

xiaohaibo81 发表于 2022-8-16 10:35
这个问题我刚好遇到过，用PWM控制的话，那个频率很重要。一般的MOS管只能低频驱动，用高频驱动就会烧MOS管 ...

那得看你的驱动能力。比如用于驱动小四轴的空心杯电机，用超过20KHz的PWM没有任何问题。
但是IO直接驱动TO252或更大的MOSFET，由于电流不够，PWM频率高时，GS电压变化缓慢，MOSFET损耗很大，会烧的。

作者: linlll 时间: 2022-8-16 12:53
简单的来说就是开和关的那一瞬间

作者: xiaohaibo81 时间: 2022-8-17 08:29

coody_sz 发表于 2022-8-16 12:00
那得看你的驱动能力。比如用于驱动小四轴的空心杯电机，用超过20KHz的PWM没有任何问题。
但是IO直接驱动 ...

那就得换一个高频BOM管了，那你那个MOS不行。

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