MOS管上电有瞬间导通现象? -

标题: MOS管上电有瞬间导通现象? [打印本页]

作者: 混沌未开 时间: 2022-7-26 12:00
标题: MOS管上电有瞬间导通现象?
电路原理如下：

1.上电初始状态：

电路上电后，输入电源Vin经电阻R1，R3对电容C1快速充电至电源电压。MOS管Q1，Q2截止，Vout无输出。

2.开机状态：
当电路需要开机时，按下开关S1，电容C1上的电压加至NMOS管的G极，使Q2迅速饱和导通，Q1栅极电位被拉低至接近0V，Q1也迅速导通并饱和，Vout有电压输出。

此时，Vout经电阻R2，加至NMOS管Q2的栅极，维持Q2的导通，形成自锁回路。此时若S1没有松开，则Vout还会对电容C1充电，不会影响电路的开机状态。

若S1松开，则电容C1通过电阻R3，Q2的DS进行放电至接近0V，为电路关机做准备。

3.关机状态：
电路需要关机时，再次按下开关S1，NMOS管Q2的栅极电位由于电容C1的作用，被拉低至低电平，Q2截止。

Q2截止后，PMOS管的栅极电位上升到高电平，Q1截止，Vout无输出。此时，应松开开关S1，电容C1又经电阻R1，R3开始慢慢充电至接近输入电源电压。恢复至上电初始状态。

但是现在的现象是，上电就导通，VOUT持续有电压，我把Q2 R3都拆掉，观察Q1，发现上电后，VOUT电源指示灯会亮一瞬间，然后熄灭，这说明Q1导通了一瞬间，然后才导致了后面的现象

我后面找了一些资料，怀疑是GS之间的寄生电容在上电初始，需要充电，在这个过程中，VGS的电压<0 所以导致了瞬间的导通现象，这样怀疑对的么？

如果是这样的话，怎么避免这个寄生电容的影响啊

作者: Y_G_G 时间: 2022-7-26 17:57
你那么多字分析并没有什么道理
事实也并不是像你分析的那样
1,一开始上电的时候,C1是没有电的,对地相当于短路,那么Q1的G极电压就是Vin的一半,Q1并没有截止,Vout是有电压输出的,输出电压多少你不用管,有输出就行
2,Q1输出控制了Q2的G极,Q2就导通了,然后就把Q1的G极电压拉低,然后就是Q1完全导通了
所以,你这电路,一上电就有电压输出,然而这期间压根就没有寄生电容的事
把R1改成1K试一下

作者: wulin 时间: 2022-7-26 21:02
上电瞬间，Q1 VGS(th)电压必须小于1V，否则Q1会被触发导通。你现在上电瞬间 VGS(th)电压是1/2Vin。

作者: zilihangjian 时间: 2022-7-27 16:36
一句话R1电阻太大了

作者: yzwzfyz 时间: 2022-7-28 09:29
2楼，高手。
楼主的考虑方式也赞同，但在此处不适用。
2楼正解。

作者: wufa1986 时间: 2022-7-28 13:42
减小电阻

作者: zjh135 时间: 2022-7-28 16:20
同意2楼。

作者: bocky_jiang 时间: 2022-7-29 11:55
这电路能关掉？

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