标题: 二极管、三极管、MOS管、运放、光耦这五个器件中datasheet分别哪个参数可以反应是... [打印本页]
作者: QWE4562012    时间: 2022-8-24 19:10
标题: 二极管、三极管、MOS管、运放、光耦这五个器件中datasheet分别哪个参数可以反应是...
二极管、三极管、MOS管、运放、光耦这五个器件中datasheet分别哪个参数可以反应是高速或低速？
作者: 地球    时间: 2022-8-25 00:33
二极管的话就看反向恢复时间吧
三极管就看开关时间
mosfet就看输入输出电容，开关时间
运放的话就考虑摆速
光耦的话直接就有高速光耦和低速光耦

作者: Hephaestus    时间: 2022-8-25 09:03
地球 发表于 2022-8-25 00:33
二极管的话就看反向恢复时间吧
三极管就看开关时间
mosfet就看输入输出电容，开关时间

光耦跟三极管一样有恢复时间。
运放大信号速度才看slew rate，小信号看gain bandwidth product
作者: yzwzfyz    时间: 2022-8-25 09:40
看参数单位是ns、us 的相关参数，再分析分析。
作者: QWE4562012    时间: 2022-8-25 16:20
地球 发表于 2022-8-25 00:33
二极管的话就看反向恢复时间吧
三极管就看开关时间
mosfet就看输入输出电容，开关时间

回复很清晰。不过还有疑问
二极管反向恢复时间小于多少才算是高速二极管呢？
在datasheet里面三极管的开关时间对应英文是哪个？开关时间小于多少算高速三极管？
MOS输入输出电容和开关时间分别小于多少是高速MOS
运放不看增益带宽积GBW吗？压摆率大于多少算高速？
光耦也是有想对应的参数描述高速、低速的吧？
作者: QWE4562012    时间: 2022-8-25 16:21
yzwzfyz 发表于 2022-8-25 09:40
看参数单位是ns、us 的相关参数，再分析分析。

你说的是哪个器件



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