开关电源的MOS管选型问题,决定MOS管开关频率的有哪些参数 -

标题: 开关电源的MOS管选型问题,决定MOS管开关频率的有哪些参数 [打印本页]

作者: 李冬 时间: 2022-9-9 08:04
标题: 开关电源的MOS管选型问题,决定MOS管开关频率的有哪些参数
MOS管的耐压和电流怎么选,为什么IGBT的频率没有MOS管高，关键是什么参数造成的

作者: 风之痕于梦想 时间: 2022-9-11 10:48
mos耐压需要两倍以上，电流按管子标的5分之1算。

作者: 一事无成 时间: 2022-9-11 21:57
IGBT有拖尾电流,听说是因为IGBT导通时即有电子又有空穴参与导电，但空穴恢复比较慢，所以IGBT比较慢。
MOS可以看Qg的大小，栅极存储的电荷越少开关速度越快。

作者: Hephaestus 时间: 2022-9-12 07:37
IGBT有存储效应，从深饱和状态恢复出来的时间很长，限制了最高开关频率。

MOSFET的最高频率是驱动电路无法克服Qg栅极电荷给限制住的，只要你能开发出足够强大的栅极驱动，MOSFET的工作频率是无限的，唯一能限制的物理极限只有光速。

作者: yzwzfyz 时间: 2022-9-12 16:49
MOS管的耐压和电流怎么选?
答：参照设计的要求，加个富裕度，查手册，符合条件即选中。
为什么IGBT的频率没有MOS管高，
答：IGBT是集成的东东，MOS是单一的东东，多个东东就多个限制。
关键是什么参数造成的。
答：分布电容、元件电容是关键参数。

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