标题:
为什么MOS管比BJT导通时的管压降要小(开关管)
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作者:
brucekang
时间:
2022-9-12 12:48
标题:
为什么MOS管比BJT导通时的管压降要小(开关管)
从MOS和BJT的输出特性曲线上看:当MOS和BJT处于导通状态时,BJT工作饱和区,MOS工作在可变电阻区。而且当其向线性放大区转变的临界点,似乎MOS管的管压降大于BJT的管压降。但实际工作中,MOS管的RSON电阻很小,因此它的管压降比BJT的要小很多。
作者:
人工置顶员
时间:
2022-9-27 03:48
顶一下
作者:
hhh402
时间:
2022-9-27 08:29
MOS管与BJT特性是差不多的,只是BJT只有小功率管没有大功率的,所以内阻比较高,但是反向漏电流也小呀,MOS管很多都是大功率的所以内阻比较小,你在意内阻用MOS管就好。
作者:
munuc_w
时间:
2022-9-27 09:01
MOS没有饱和压降的概念,给出的是导通电阻,因此,在导通电阻一定(栅偏压)的情况下,压降和工作电流相关联。
作者:
TTQ001
时间:
2022-9-27 09:27
MOSFET在饱和时就像欧姆电阻一样工作,并且由施加到栅极的电压控制。 当栅源电压足够高时,MOSFET 的导通电阻可以非常低。 因此,饱和状态下 MOSFET 的电压降可能非常低。 BJT 在饱和时像二极管一样工作,并由基极电流控制。 最低电压降可高达约 0.2V,高于 MOSFET。
作者:
一事无成
时间:
2022-9-27 09:29
看bjt和mos的结构,两种导通方式不一样,bjt导通后只剩下一个PN节相当于二极管,mos导通后导电沟道相当于电阻,不考虑电路的情况下这俩没啥可比的,大概就是高压小电流用BJT,低压大电流用MOS,bjt的PN节压降固定,低压损耗大,高压mos的导电沟道长电阻大,相应的损耗也大。
作者:
coody_sz
时间:
2022-9-27 11:01
那是在低压小电流的情况。如果再高压大电流,比如500V 100A,三极管的损耗就会比MOSFET小,但驱动电流大,于是,IGBT就诞生了。为什么高压大功率的地方用IGBT而烧用MOSFET几十这个原因。
哪怕是200V的MOSFET,其通阻往往都到了几百毫欧级别,假设是0.6欧姆,电流10A就压降6V,损耗60瓦,而这时候用三极管,饱和压降1.5V,则损耗15瓦。
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