电子元件测试仪制作,STC单片机+OLED+6只电阻,AVR-Transistortester移植改造版 -

//neu2010.01.02版Mega8基础版（起源于约2009年。需配合Markus F.电路图，
//中文注释翻译：itkw: autopccopy @ guangzhou 2022.04.22 AVR单片机价格昂贵，强烈建议移植到STC单片机）
//程序移植：rz123456，非常喜欢STC，功能强大、使用方便、价格便宜。
//删除了一部分不需要的，原程序中AVR的硬件程序。OLED程序为厂家提供。
//本AVR例程不支持小容量芯片，需Mega8或Mega328起。使用WinAVR-20100110 编译, PROGISP 1.72+USBIAP工具下载
#include <STC8G.h>
#include <stdlib.h>
#include <string.h>
#include "oled.h"
#include <math.h>
#define uint8_t unsigned char
#define uint16_t unsigned int
#define uint32_t unsigned long int
#define int16_t signed int
//三组测试电阻的阻值：R_L为680欧，R_H为470K
//如要修改，请输入以欧姆为单位的电阻值定义(特别注意：此三组电阻须配对为阻值相近，否则误差较大)
//#define R_L_VAL 680 //R_L; 标准值 680欧
//#define R_H_VAL 470000UL //R_H; 标准值 470K
#define R_L_VAL 510 //510欧
#define R_H_VAL 510000UL //510K
//在程序中计算必要的电阻值
#define RH_RL_RATIO (R_H_VAL/R_L_VAL)//高低电阻比
#define R_H_PER (R_H_VAL/100) //高电阻/100的值
//注意：N和P沟道增强型E-MOSFET栅极电容计算系数：取决于AVR的制造公差，在必要时进行调整
//（注：其他改进型有插入基准元件进行自动校准功能）
//#define N_GATE_CAPACITY_FACTOR 387 //N沟道系数
//#define P_GATE_CAPACITY_FACTOR 142 //P沟道系数
#define N_GATE_CAPACITY_FACTOR 18 //N沟道系数
#define P_GATE_CAPACITY_FACTOR 18
//电容器的电容计算系数：取决于 AVR 的制造公差，在必要时进行调整
//总测量范围约为 0.2nF 至 1000uF。
//#define Hr_LowCAPACITY_FACTOR 94 //使用 470k 高电阻测量（小电容）系数
#define Hr_LowCAPACITY_FACTOR 21
//#define Lr_HighCAPACITY_FACTOR 283 //使用 680 低电阻测量（高电容）系数
#define Lr_HighCAPACITY_FACTOR 18
void ADC_Init();
void CheckPins(uint8_t HighPin, uint8_t LowPin, uint8_t TriPin);
void ReadCapacity(uint8_t HighPin, uint8_t LowPin);
void DischargePin(uint8_t PinToDischarge, uint8_t DischargeDirection);
uint16_t ReadADC(u8 addr); //ADC读取
void GetGateThresholdVoltage(void); //取栅极开启阈值电压
void _delay_ms(unsigned int ms);
//端口C: PC0-PC2为测试脚TP1-TP3为,同时PB0-PB5分别连接680、470K三组测试电阻
//请不要更改 TP1、TP2和TP3 的定义！
//端口B: PB0-PB5分别连接680、470K连续三组测试电阻
//#define R_DDR DDRB //数据方向寄存器, 1:输出/0:输入
//#define R_PORT PORTB //6个测试电阻接PORTB,1:上拉电阻使能
//
////以下注释为方便理解本程序:
////DDRxn控制引脚方向：当DDRxn为1时，Pxn为输出；当DDRxn为0时，Pxn为输入。
////PORTxn在PCn为输入时，1为上拉电阻至VCC；否则引脚悬空。PCn为输出时，1为输出高电平；否则输出低电平。
////PINxn的值为Pxn引脚的电平。不论如何配置DDxn，都可以通过读取PINxn来获得引脚电平。如果给PINxn写入1，PORTxn的值会翻转。
//
//#define ADC_DDR DDRC //数据方向寄存器： 1:输出/0:输入
//#define ADC_PORT PORTC //数据寄存器： 1: 输入：上拉电阻使能或输出：高电平
//#define ADC_PIN PINC //引脚寄存器：输出时引脚的实际值
//#define TP1 PC0 //0
//#define TP2 PC1 //1
//#define TP3 PC2 //2
#define R_DDR P2M0 // 这个还要加 P2M1= ~P2M0;
#define R_PORT P2
#define ADC_DDR P1M0 //这个入=0 出=1 还要加P1M1 = ~P1M0; //设置 P1.0~P1.7 为双向口模式
#define ADC_PORT P1 //设置
#define ADC_PIN P1
u8 TP1=0;
u8 TP2=1;
u8 TP3=2;
sbit RST_PIN=P0^1; //测试按钮，按下为低电平
//元件属性码(与返回码PartFound匹配)
#define PART_NONE 0 //无或故障
#define PART_DIODE 1 //二极管
#define PART_TRANSISTOR 2 //三极管
#define PART_FET 3 //FET
#define PART_TRIAC 4 //单向可控硅
#define PART_THYRISTOR 5 //双向可控硅
#define PART_RESISTOR 6 //电阻
#define PART_CAPACITOR 7 //电容
//三极管子类型码
#define PART_MODE_NPN 1 //NPN三极管
#define PART_MODE_PNP 2 //PNP三极管
//场效应管子类型码(与PartMode返回码匹配。大属性码PartFound为PART_FET: 3)
#define PART_MODE_N_E_MOS 1 //N沟道增强型E-MOSFET
#define PART_MODE_P_E_MOS 2 //P沟道增强型E-MOSFET
#define PART_MODE_N_D_MOS 3 //N沟道耗尽型D-MOSFET
#define PART_MODE_P_D_MOS 4 //P沟道耗尽型D-MOSFET
#define PART_MODE_N_JFET 5 //N沟道JFET
#define PART_MODE_P_JFET 6 //P沟道JFET
//二极管结构体
struct Diode //声明有3个成员的结构体，标签被命名为Diode（结构体将不同的数据类型整合为一个有机整体，方便数据管理，增加代码的可读性）
{
uint8_t Anode; //阳极引脚序号
uint8_t Cathode; //阴极
int16_t Voltage; //二极管导通电压降
};
struct Diode diodes[6]; //用Diode标签的结构体，另外声明了变量diodes数组
uint8_t NumOfDiodes; //存在的二极管个数
uint8_t b,c,e; //b,c,e引脚序号，配合显示引脚号（取值0-2）
//三极管的测量
uint8_t PartReady; //测量的轮次数
uint8_t PartFound, tmpPartFound; //返回的元件属性码
uint8_t PartMode; //返回的元件子类型码
uint32_t u32_hfe; //u32值，用于直流放大系数、电阻值等
uint16_t ADCval[2]; //ADC测量值
uint16_t ADCuBE[2]; //ADC测量: 基极-发射极BE
//电阻和电容测量
uint8_t ra, rb; //电阻引脚序号，配合显示引脚号（取值0-2）
uint16_t rv[2]; //电阻两端的电压降
uint16_t rADCmax[2]; //可实现的最大ADC值(小于1023，因为测量电阻时LowPin上的电压高于零)
uint8_t ca, cb; //电容引脚序号，配合显示引脚号（取值0-2）
uint32_t cv; //电容容量值
uint8_t tmpVAL, tmpVAL2; //2个通用u8临时变量
uint16_t ADCv[4]; //ADC的测量值
char chrVAL[8]; //字符串1
char chrVAL2[6]; //字符串2
uint32_t chrVAL2_cv;
uint32_t chrVAL_cv;
uint8_t itkw_tmp1; //仅用于对调引脚序号的临时变量
//============================主程序开始============================
int main(void)
{
P0M0 = 0x08; //设置 P0.0~P0.7 为双向口模式
P0M1 = 0x00;
P3M0 = 0xC0; //设置 P3.0~P3.7 为双向口模式 C0=P3.6/7输出oled电源
P3M1 = 0x00;
P0PU = 0x02; //上拉电阻P0.1
P0=0X02; //测试按钮
P3=0X40; //P3.5 OLED+电源
OLED_Init();//初始化OLED
OLED_ColorTurn(0);//0正常显示，1 反色显示
OLED_DisplayTurn(1);//0正常显示 1 屏幕翻转显示
ADC_Init();
//EA = 1; //允许全局中断
//运行期间再次按下启动按钮时的入口点，复位变量后开始
start:
// wdt_enable(WDTO_2S); //看门狗开启
PartFound = PART_NONE; //返回属性码为0
tmpPartFound = PART_NONE; //返回属性码为0
NumOfDiodes = 0; //二极管数量
PartReady = 0; //测量的轮次数
PartMode = 0; //返回子类型码
ca = 0; //电容引脚序号a
cb = 0; //电容引脚序舃
// lcd_clear(); //清屏
OLED_Clear();
//开始测试
// lcd_eep_string(Testrunning); //显示：Testrunning..
OLED_ShowString(0,0,"Testrunning...",16);
OLED_ShowChinese(0,2,3,16);//测试中
OLED_ShowChinese(16,2,4,16);//
OLED_ShowChinese(32,2,5,16);//
OLED_ShowString(48,2,"......",16);
//测量3个引脚的所有6种组合
CheckPins(TP1, TP2, TP3); //PC0,PC1,PC2
CheckPins(TP1, TP3, TP2);
CheckPins(TP2, TP1, TP3);
CheckPins(TP2, TP3, TP1);
CheckPins(TP3, TP1, TP2);
CheckPins(TP3, TP2, TP1);
//若属性码为空或电阻或二极管，则再单独测量电容器(需先放电，否则可能无法测量)
if((PartFound == PART_NONE) || (PartFound == PART_RESISTOR) || (PartFound == PART_DIODE))
{
R_PORT = 0;
R_DDR = (1<<(TP1*2)) | (1<<(TP2*2)) | (1<<(TP3*2)); //电阻引脚R_H为输出模式接地
P2M1 = ~P2M0;
_delay_ms(50);
R_DDR = 0; //电阻引脚为输入模式
P2M1 = ~P2M0;
//测量所有6个引脚组合中的电容器
ReadCapacity(TP1, TP2);
ReadCapacity(TP1, TP3);
ReadCapacity(TP2, TP1);
ReadCapacity(TP2, TP3);
ReadCapacity(TP3, TP1);
ReadCapacity(TP3, TP2);
}
GetGateThresholdVoltage(); //取栅极开启阈值电压
// lcd_clear();
OLED_Clear();
//测量完成，现在评估如下
if(PartFound == PART_DIODE)//***二极管
{
if(NumOfDiodes == 1)
{
//标准二极管
// lcd_eep_string(Diode);
OLED_ShowChinese(0,0,16,16);//
OLED_ShowChinese(16,0,18,16);//
OLED_ShowChinese(32,0,19,16);//
OLED_ShowString(50,0,"Diode",16);
// lcd_eep_string(AK); //"A,K="
OLED_ShowString(0,2,"A,K=",16);
//lcd_data(diodes[0].Anode + 49);
OLED_ShowChar(40,2,(diodes[0].Anode + 49),16);
OLED_ShowChinese(48,2,8,16);//二极管
//lcd_data(diodes[0].Cathode + 49);
OLED_ShowChar(64,2,(diodes[0].Cathode + 49),16);
// Line2();
//lcd_eep_string(Uf); //“Uf =”
OLED_ShowString(0,4,"Uf =",16);
//lcd_string(itoa(diodes[0].Voltage, chrVAL, 10)); //显示二极管导通电压降
OLED_ShowNum(40,4,(diodes[0].Voltage),4, 16);
//lcd_eep_string(mV);
OLED_ShowString(72,4,"mV",16);
goto end;
}
else if(NumOfDiodes == 2)
{
//双二极管
if(diodes[0].Anode == diodes[1].Anode)
{
//lcd_eep_string(DualDiode); //共阳极双二极管
OLED_ShowChinese(0,0,20,16);//
OLED_ShowChinese(16,0,16,16);//
OLED_ShowChinese(32,0,18,16);//
OLED_ShowChinese(48,0,19,16);//
//OLED_ShowString(0,0,"DualDiode",16);
//lcd_string("CA");
OLED_ShowString(72,0,"CA",16);
//Line2();
//lcd_eep_string(AK1K2);//阳极,阴极1,阴极2=
OLED_ShowString(0,2,"AK1K2",16);
//lcd_data(diodes[0].Anode + 49);
OLED_ShowChar(88,2,(diodes[0].Anode + 49),16);
//lcd_data(diodes[0].Cathode + 49);
OLED_ShowChar(98,2,(diodes[0].Cathode + 49),16);
//lcd_data(diodes[1].Cathode + 49);
OLED_ShowChar(108,2,(diodes[1].Cathode + 49),16);
OLED_ShowChar(40,4,(diodes[0].Anode + 49),16);
OLED_ShowChinese(48,4,8,16);//二极管
OLED_ShowChar(64,4,(diodes[0].Cathode + 49),16);
OLED_ShowChar(40,6,(diodes[0].Anode + 49),16);
OLED_ShowChinese(48,6,8,16);//二极管
OLED_ShowChar(64,6,(diodes[1].Cathode + 49),16);
goto end;
}
else if(diodes[0].Cathode == diodes[1].Cathode)
{
//lcd_eep_string(DualDiode); //共阴极双二极管
OLED_ShowChinese(0,0,20,16);//
OLED_ShowChinese(16,0,16,16);//
OLED_ShowChinese(32,0,18,16);//
OLED_ShowChinese(48,0,19,16);//
//lcd_string("CC");
OLED_ShowString(72,0,"CC",16);
//Line2();
//lcd_string("K,A1,A2=");
OLED_ShowString(0,2,"K,A1,A2=",16);
//lcd_data(diodes[0].Cathode + 49);
OLED_ShowChar(88,2,(diodes[0].Cathode + 49),16);
//lcd_data(diodes[0].Anode + 49);
OLED_ShowChar(98,2,(diodes[0].Anode + 49),16);
//lcd_data(diodes[1].Anode + 49);
OLED_ShowChar(108,2,(diodes[1].Anode + 49),16);
goto end;
}
else if ((diodes[0].Cathode == diodes[1].Anode) && (diodes[1].Cathode == diodes[0].Anode))
{
//lcd_eep_string(TwoDiodes); //反向并联2个二极管。(注：此处原程序没有显示引脚序号)
OLED_ShowString(0,0,"TwoDiodes",16);
//Line2();
//lcd_eep_string(Antiparallel);
OLED_ShowString(0,2,"Antiparallel",16);
OLED_ShowChar(0,4,'2',16);
OLED_ShowChinese(8,4,10,16);// 2个二极管
OLED_ShowChinese(26,4,16,16);//
OLED_ShowChinese(42,4,18,16);//
OLED_ShowChinese(58,4,19,16);//
goto end;
}
}
else if(NumOfDiodes == 3) //2个二极管串联；将被认为是3个二极管
{
b = 3;
c = 3;
//为此，必须有2个阴极和2个阳极匹配。
//这是因为这些二极管被认为是2个独立的二极管，并且也被认为是一个“大”二极管。
if((diodes[0].Anode == diodes[1].Anode) || (diodes[0].Anode == diodes[2].Anode)) b = diodes[0].Anode;
if(diodes[1].Anode == diodes[2].Anode) b = diodes[1].Anode;
if((diodes[0].Cathode == diodes[1].Cathode) || (diodes[0].Cathode == diodes[2].Cathode)) c = diodes[0].Cathode;
if(diodes[1].Cathode == diodes[2].Cathode) c = diodes[1].Cathode;
if((b<3) && (c<3))
{
//lcd_eep_string(TwoDiodes); //2个串联二极管
OLED_ShowString(0,0,"TwoDiodes",16);
//Line2();
//lcd_eep_string(sAK); //串联阳极及阴极=
OLED_ShowString(0,2,"sAK",16);
//lcd_data(b + 49);
OLED_ShowChar(30,2,(b + 49),16);
//lcd_data(c + 49);
OLED_ShowChar(40,2,(c + 49),16);
OLED_ShowChar(0,4,'2',16);
OLED_ShowChinese(8,4,10,16);// 2个二极管
OLED_ShowChinese(26,4,16,16);//
OLED_ShowChinese(42,4,18,16);//
OLED_ShowChinese(58,4,19,16);//
goto end;
}
}
}
else if (PartFound == PART_TRANSISTOR) //***三极管
{
if(PartReady == 0) //如果未进行过第二次测试(例如在带有保护二极管的三极管的情况下)
{
ADCval[1] = ADCval[0];
ADCuBE[1] = ADCuBE[0];
}
if((ADCval[0]>ADCval[1])) //如果在第一次测试期间放大系数较高，则更新数据，并对调c和e极。
{
ADCval[1] = ADCval[0];
ADCuBE[1] = ADCuBE[0];
itkw_tmp1 = c;
c = e;
e = itkw_tmp1;
}
OLED_ShowChinese(26,0,17,16);//三极管
OLED_ShowChinese(42,0,18,16);//
OLED_ShowChinese(58,0,19,16);//
if(PartMode == PART_MODE_NPN) //显示NPN或PNP类型
{
//lcd_eep_string(NPN);
OLED_ShowString(0,2,"NPN",16);
OLED_ShowChinese(74,2,22,16);//<
}
else
{
//lcd_eep_string(PNP);
OLED_ShowString(0,2,"PNP",16);
OLED_ShowChinese(74,2,21,16);//>
}
//lcd_eep_string(BCE); //BCE=
OLED_ShowString(50,2,"BCE",16);
//lcd_data(b + 49); //依次显示引脚序号(ascii 49 是字符"1", b,c,e取值范围:0-2)
OLED_ShowChar(90,2,(b + 49),16);
//lcd_data(c + 49);
OLED_ShowChar(98,2,(c + 49),16);
//lcd_data(e + 49);
OLED_ShowChar(106,2,(e + 49),16);
//Line2();
//计算直流放大系数 hFE = 发射极电流/基极电流
u32_hfe = ADCval[1];
u32_hfe *= RH_RL_RATIO; //高低电阻比
if(ADCuBE[1] < 11) ADCuBE[1] = 11;
u32_hfe /= ADCuBE[1];
ADCval[1] = (uint16_t)u32_hfe;
//lcd_eep_string(hfeSTR); //“hFE=”
OLED_ShowString(0,4,"hFE=",16);
//lcd_string(utoa(ADCval[1], chrVAL, 10));
OLED_ShowNum(32,4,(ADCval[1]),4, 16);
// SetCursor(2,7); //光标在第2行，字符7
if(NumOfDiodes > 2) //带保护二极管的三极管
{
//lcd_data(LCD_CHAR_DIODE); //显示二极管符号
OLED_ShowChinese(64,0,8,16);//
}
else
{
//lcd_data(' ');
OLED_ShowString(64,4," ",16);
}
for (c=0;c<NumOfDiodes;c++)
{
if(((diodes[c].Cathode == e) && (diodes[c].Anode == b) && (PartMode == PART_MODE_NPN)) || ((diodes[c].Anode == e) && (diodes[c].Cathode == b) && (PartMode == PART_MODE_PNP)))
{
//lcd_eep_string(Uf); //“Uf=”
OLED_ShowString(8,6,"Uf=",16);
//lcd_string(itoa(diodes[c].Voltage, chrVAL, 10));
OLED_ShowNum(32,6,(diodes[c].Voltage),4, 16);
//lcd_data('m'); //应是mV的意思..
OLED_ShowString(64,6,"mV",16);
goto end;
}
}
goto end;
}
else if (PartFound == PART_FET) //JFET 或 MOSFET
{
if(PartMode&1) //判断子类型码为单数是N型，否则为P型(...)
{
//lcd_data('N'); //N型
OLED_ShowString(0,0,"N",16);
}
else
{
//lcd_data('P'); //P型
OLED_ShowString(0,0,"P",16);
}
//if((PartMode==PART_MODE_N_E_MOS) || (PART_MODE_P_E_MOS))
if(PartMode < 3) //E-MOSFET:1、2(与下面对应)
{
//lcd_eep_string(emode); //“-E”
OLED_ShowString(8,0,"-E",16);
//lcd_eep_string(mosfet); //“-MOS”
OLED_ShowString(24,0,"-MOS",16);
}
else if((PartMode==PART_MODE_N_D_MOS) || (PartMode==PART_MODE_P_D_MOS)) //耗尽型D-MOSFET：3、4
{
//lcd_eep_string(dmode); //“-D”
OLED_ShowString(8,0,"-D",16);
//lcd_eep_string(mosfet); //“-MOS”
OLED_ShowString(24,0,"-MOS",16);
}
else //JFET：5、6
{
// lcd_eep_string(jfet); //“-JFET”
OLED_ShowString(24,0,"-JFET",16);
}
//增强型E-MOSFET 则测量栅极电容
if(PartMode < 3) //E-MOSFET:1、2
{
// lcd_eep_string(GateCap); //“C=”
OLED_ShowString(50,4,"C=",16);
//tmpVAL = strlen(chrVAL2);//chrVAL2_cv
//tmpVAL2 = tmpVAL;
// if(tmpVAL>4) tmpVAL = 4; //对于 >100nF 的电容，不要指定最后一个小数位（否则它不适合 LCD）(显示4位长度)
//lcd_show_format_cap(chrVAL2, tmpVAL, tmpVAL2);
OLED_ShowNum(66,4,chrVAL2_cv,4, 16);
//lcd_data('n');
OLED_ShowString(116,4,"p",16);
}
//Line2();
//lcd_eep_string(gds); //“GDS=” (注：此处与三极管的三个极分别显示的方式不同)
OLED_ShowString(0,2,"GDS=",16);
//lcd_data(b + 49);
OLED_ShowChar(38,2,(b + 49),16);
//lcd_data(c + 49);
OLED_ShowChar(46,2,(c + 49),16);
//lcd_data(e + 49);
OLED_ShowChar(54,2,(e + 49),16);
if((PartMode < 3) && (NumOfDiodes > 0)) //增强型E-MOSFET及带保护二极管的
{
//lcd_data(LCD_CHAR_DIODE); //显示二极管符号
OLED_ShowString(0,4,"DIODE",16);
}
else
{
//lcd_data(' '); //空格
OLED_ShowString(0,4," ",16);
}
if(PartMode < 3) //增强型E-MOSFET
{
//lcd_eep_string(vt); //Vt=
OLED_ShowString(0,6,"Vt=",16);
//lcd_string(chrVAL); //显示栅极阈值电压
OLED_ShowNum(24,6,chrVAL_cv,4, 16);
//lcd_data('m');
OLED_ShowString(100,6,"mV",16);
}
goto end;
}
else if (PartFound == PART_THYRISTOR) //单向可控硅
{
// lcd_eep_string(Thyristor);
OLED_ShowString(0,0,"Thyristor",16);
// Line2();
// lcd_string("GAK=");
OLED_ShowString(0,2,"GAK=",16);
// lcd_data(b + 49);
OLED_ShowChar(30,2,(b + 49),16);
// lcd_data(c + 49);
OLED_ShowChar(38,2,(c + 49),16);
// lcd_data(e + 49);
OLED_ShowChar(46,2,(e + 49),16);
goto end;
}
else if (PartFound == PART_TRIAC) //三端双向可控硅
{
//lcd_eep_string(Triac);
OLED_ShowString(50,0,"Triac",16);
//Line2();
//lcd_eep_string(GA1A2); //注:已改为统一显示
OLED_ShowString(0,2,"G A1 A2",16);
// lcd_data(b + 49);
OLED_ShowChar(0,4,(b + 49),16);
// lcd_data(e + 49);
OLED_ShowChar(16,4,(e + 49),16);
// lcd_data(c + 49);
OLED_ShowChar(40,4,(c + 49),16);
goto end;
}
else if(PartFound == PART_RESISTOR) //电阻
{
// lcd_eep_string(Resistor); //显示:Resistor
OLED_ShowChinese(0,0,0,16);//电
OLED_ShowChinese(16,0,1,16);//阻
OLED_ShowString(40,0,"Resistor",16);
// lcd_data(ra + 49); //显示引脚序号
OLED_ShowChar(30,2,(ra + 49),16);
// lcd_data('-');
//OLED_ShowChar(46,2,('-'),16);
OLED_ShowChinese(38,2,6,16);//电zhu
// lcd_data(rb + 49);
OLED_ShowChar(54,2,(rb + 49),16);
// Line2();
// lcd_string ("R = ");
OLED_ShowString(30,4,"R =",16);
if(rv[0]>512) //检查测试电阻两端的电压与中值512相差有多远
{
ADCval[0] = (rv[0]-512);
}
else
{
ADCval[0] = (512-rv[0]);
}
if(rv[1]>512)
{
ADCval[1] = (rv[1]-512);
}
else
{
ADCval[1] = (512-rv[1]);
}
if(ADCval[0] > ADCval[1])
{
rADCmax[0] = rADCmax[1];
rv[0] = rv[1]; //使用更接近512的结果（准确度更高）
rv[1] = R_H_PER; //470k电阻（数值除100）
}
else
{
rv[1] = R_L_VAL; //680R测试电阻
}
if(rv[0]==0) rv[0] = 1;
u32_hfe = (uint32_t)((uint32_t)((uint32_t)rv[1]*(uint32_t)rv[0]) / (uint32_t)((uint32_t)rADCmax[0]-(uint32_t)rv[0]));
//计算电阻
if(rv[1]==R_H_PER) //470k电阻
{
OLED_ShowNum(54,4,u32_hfe/10,5, 16);
OLED_ShowChar(102,4,('K'),16);
}
else
{
OLED_ShowNum(54,4,u32_hfe,5, 16);
OLED_ShowChinese(102,4,7,16);////显示Ω
//OLED_ShowChar(102,4,32+95,16);//显示Ω
}
// ultoa(u32_hfe,chrVAL,10); //转换一个无符号长整型数为字符串,10进制
// if(rv[1]==R_H_PER) //470k电阻
// {
// ra = strlen(chrVAL); //ra字符串长度，必须显示逗号
// for (rb=0;rb<ra;rb++)
// {
// lcd_data(chrVAL[rb]);
// if(rb==(ra-2)) lcd_data('.'); //逗号
// }
// lcd_data ('k'); //如果使用470k 电阻，则显示单位为千欧
// }
// else
// {
// lcd_string(chrVAL);
// }
// lcd_data(LCD_CHAR_OMEGA); //显示欧米茄符号代表欧姆
goto end;
}
else
if(PartFound == PART_CAPACITOR) //电容
{
// lcd_eep_string(Capacitor); //显示Capacitor
OLED_ShowChinese(0,0,0,16);//电
OLED_ShowChinese(16,0,2,16);//容
OLED_ShowString(40,0,"Capacitor",16);
// lcd_data(ca + 49); //显示引脚序号
OLED_ShowChar(0,2,(ca + 49),16);
// lcd_data('-');
OLED_ShowChar(16,2,('-'),16);
// lcd_data(cb + 49);
OLED_ShowChar(32,2,(cb + 49),16);
// Line2();
tmpVAL2 = 'n';
// if(cv > 99999) //到达1uF则改为微法显示:u。
// {
// cv /= 1000;
// tmpVAL2 = LCD_CHAR_U;
// }
OLED_ShowNum(0,4,cv,9, 16);
OLED_ShowString(108,4,"pF",16);
OLED_ShowNum(0,6,cv/1000,6, 16);
OLED_ShowString(48,6,"nF",16);
OLED_ShowNum(64,6,cv/1000000,4, 16);
OLED_ShowString(108,6,"uF",16);
// ultoa(cv, chrVAL, 10);
// tmpVAL = strlen(chrVAL);
// lcd_show_format_cap(chrVAL, tmpVAL, tmpVAL);
// lcd_data(tmpVAL2); //显示: n或u
// lcd_data('F');
goto end;
}
if(NumOfDiodes == 0) //未找到二极管
{
OLED_ShowChinese(0,2,9,16);//
OLED_ShowChinese(16,2,10,16);//
OLED_ShowChinese(32,2,11,16);//
OLED_ShowChinese(48,2,12,16);//
OLED_ShowChinese(64,2,13,16);//
OLED_ShowChinese(80,2,14,16);//
OLED_ShowChinese(96,2,14,16);//
OLED_ShowChinese(112,2,14,16);//
OLED_ShowChinese(48,4,8,16);//
OLED_ShowChinese(32,4,6,16);//
OLED_ShowChinese(16,4,15,16);//
}
else
{
OLED_ShowChinese(0,2,9,16);//
OLED_ShowChinese(16,2,10,16);//
OLED_ShowChinese(32,2,11,16);//
OLED_ShowChinese(48,2,12,16);//
OLED_ShowChinese(64,2,13,16);//
OLED_ShowChinese(80,2,14,16);//
OLED_ShowChinese(96,2,14,16);//
OLED_ShowChinese(112,2,14,16);//
OLED_ShowChar(0,6,NumOfDiodes + 48,16);
// lcd_data(LCD_CHAR_DIODE); //二极管符号
OLED_ShowChinese(16,6,8,16);//二极管符号
}
end:
while(1) //无限循环(本程序自动关机功能已省略)
{
if(RST_PIN==0)//PD7按钮按下为低电平,跳回到起点并进行新的测试
{
goto start;
}
}
return 0;
}
void CheckPins(uint8_t HighPin, uint8_t LowPin, uint8_t TriPin) //调用方式：CheckPins(TP1, TP2, TP3);（共6个组合）PC口
{
//用于测试具有指定引脚分配的元件属性
//HighPin：最初设置为高电平的引脚：连接到 Vcc
//LowPin：最初设置为低电平的引脚: 通过 R_L 连接到 GND
//TriPin：最初设置为开路的引脚 : 高阻状态(三态脚)
//在测试的过程中，TriPin会进行循环高低电平切换。
//注:以下是否重复定义了变量???
uint16_t ADCv[6];
uint8_t tmpVAL, tmpVAL2;
u8 i,j;
// wdt_reset();
//LowPin通过 R_L 连接到 GND 1<<8 把1向左移8位
tmpVAL = (LowPin*2);
R_DDR = (1<<tmpVAL);
// P2M1 = ~P2M0;
P2M1=~P2M0;
// OLED_ShowNum(0,6,P2M0,4, 16);
R_PORT = 0;
// while(!RX1_Cnt); //等待输入
// Print(0xcc);
// RX1_Cnt=0; //复位
ADC_DDR = (1<<HighPin);
P1M1 = ~P1M0;
ADC_PORT= (1<<HighPin); //HighPin连接在 Vcc
_delay_ms(5);
//对于某些 MOSFET，栅极（TriPin）必须先放电
//N通道：
DischargePin(TriPin,0);
//测量LowPin上的电压,元件是否在测试座上锁定？
ADCv[0] = ReadADC(LowPin);
// OLED_ShowNum(60,6,ADCv[0],4, 16);
// while(!RX1_Cnt); //等待输入
// Print(0xdd);
// RX1_Cnt=0; //复位
if(ADCv[0] < 20) goto next;
//否则：为 P 通道放电（栅极接正）
DischargePin(TriPin,1);
//再测量LowPin上的电压
ADCv[0] = ReadADC(LowPin);
next:
if(ADCv[0] < 20) //如果元件在HighPin和LowPin 之间没有连续性
{
tmpVAL2 = (TriPin*2);
R_DDR |= (1<<tmpVAL2); //三态引脚通过 R_L 接地，以测试 pnp
P2M1 = ~P2M0;
_delay_ms(2);
ADCv[0] = ReadADC(LowPin); //测量电压
if(ADCv[0] > 700)
{
//元件传导 => pnp 三极管或类似的。
//测量两个方向的增益
R_DDR = (1<<tmpVAL); //三态引脚（基极）高阻抗
P2M1 = ~P2M0;
tmpVAL2++;
R_DDR |= (1<<tmpVAL2); //三态引脚（基极）通过 R_H 接地
P2M1 = ~P2M0;
_delay_ms(10);
ADCv[0] = ReadADC(LowPin); //测量LowPin（假定为集电极）的电压。
ADCv[2] = ReadADC(TriPin); //测量三态引脚(基极)电压
R_DDR = (1<<tmpVAL); //三态引脚（基极）高阻抗
P2M1 = ~P2M0;
//三态引脚（基极）高阻抗
//检查测试是否已经运行过
if((PartFound == PART_TRANSISTOR) || (PartFound == PART_FET)) PartReady = 1; //将PartReady置1(第2轮)
ADCval[PartReady] = ADCv[0]; //登记到n轮的结果
ADCuBE[PartReady] = ADCv[2];
if(ADCv[2] > 200)
{
if(PartFound != PART_THYRISTOR) //若非双向可控硅
{
PartFound = PART_TRANSISTOR;
PartMode = PART_MODE_PNP; //则为PNP 三极管（基极被“拉高”）
}
}
else
{
if(PartFound != PART_THYRISTOR) //若非双向可控硅
{
PartFound = PART_FET;
PartMode = PART_MODE_P_E_MOS; //则为P沟道 MOSFET（基极/栅极未“上拉”）
}
}
if(PartFound != PART_THYRISTOR) //若非双向可控硅
{
b = TriPin;
c = LowPin;
e = HighPin;
}
}
//三态脚TriPin（假定为基数）到正极，以测试 npn
ADC_PORT = 0; //LowPin到地
tmpVAL = (TriPin*2);
tmpVAL2 = (HighPin*2);
R_DDR = (1<<tmpVAL) | (1<<tmpVAL2); //HighPin和三态引脚输出
P2M1 = ~P2M0;
R_PORT = (1<<tmpVAL) | (1<<tmpVAL2); //HighPin和三态引脚通过 R_L 到 Vcc
ADC_DDR = (1<<LowPin); //LowPin输出
……………………
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