单片机io设置高阻+MOS电路容易烧坏? -

标题: 单片机io设置高阻+MOS电路容易烧坏? [打印本页]

作者: 李冬 时间: 2022-9-16 17:24
标题: 单片机io设置高阻+MOS电路容易烧坏?
为了低功耗分压电阻的电流用MOS关闭，测电压时打开MOS，但有个问题关闭MOS，24V经过100K电阻到IO口，虽然IO口设置高阻，但还是容易烧坏单片机。不想用PMOS和NMOS组合关断正极。有什么更简单的解决办法吗
目前有三种方法：两个二极管双向钳位，用一个稳压管，用双向TVS，哪个比较好。既然有R6,那么R2有必要加吗

51hei图片_20220916172042.png (15.56 KB, 下载次数: 54)

作者: 圆就是圈圈 时间: 2022-9-16 18:47
24V直接冲IO口，怎么看也会烧坏的，开漏输出也不能这么整

作者: 圆就是圈圈 时间: 2022-9-16 18:50
或许可以试试在24V和单片机之间接一个20V的稳压管

作者: paladina 时间: 2022-9-16 19:26
IO5要么接一个3V稳压管到地，要么IO5接一个二极管到单片机电源

作者: 李冬 时间: 2022-9-17 07:52

圆就是圈圈发表于 2022-9-16 18:47
24V直接冲IO口，怎么看也会烧坏的，开漏输出也不能这么整

不是有100K电阻限流吗

作者: 圆就是圈圈 时间: 2022-9-19 08:37

李冬发表于 2022-9-17 07:52
不是有100K电阻限流吗

瞬间电压无法保证

作者: yccll123 时间: 2022-9-19 09:06
单片机推动MOS管，不能直接用这种电路，要通过隔离电路或高阻单通道才不会损坏单片机

作者: 188610329 时间: 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管，是用来干什么的……

这个电路用了3年半，从来没出过问题，IOA测电压， IOB 控制通断。
60V 都OK 实在不知道你怎么做到 24V 就烧单片机的。

作者: xiaohaibo81 时间: 2022-9-19 15:09
你把检测电路和MOS换一个位置就不会烧IC了，24V经MOS管再来IO口检测。你上面检测的时候R7电阻没有接地，所有电压24V直接供IC了。

作者: 李冬 时间: 2022-9-19 17:21

188610329 发表于 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管，是用来干什么的……

这个电路用了3年半，从来没出过问题，IOA测电压， IOB 控制通断 ...

你用是什么单片机

作者: TTQ001 时间: 2022-9-20 09:45
可以不用 MOSFET, 保持分压器不变，或使用双二极管进行电压钳位。

作者: 188610329 时间: 2022-9-20 14:40

李冬发表于 2022-9-19 17:21
你用是什么单片机

该方式，51核的多种单片机都用过，都没有出问题。（当然，前提是支持开漏，但凡有默认上拉的单片机引脚都不可以）

上面提到的+60V用了3年半的是用 STC15W408As的部分电路。（不过，此单片机默认是准双向，需要保证单片机先通电，改变端口模式后，高电压再通电，这个设计比较烦，所以后来的项目都是用的默认高阻或者默认开漏的片子。）

作者: sadi444 时间: 2022-9-20 15:16
MOS管最容易烧的我觉得dir8870这个不错

作者: hhdsdy 时间: 2024-6-26 16:35
需要那么省电吗？就算使用电池长期通电，电流才多少？

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2024-6-26 17:59
io内部已经有钳位二极管，并不能解决烧单片机的问题，加稳压管或tvs可以解决烧单片机的问题
电路本身是想在睡眠时直接关断支路降低功耗
所以增加稳压管和tvs后，并不能低功耗，因为支路电流=（vin-zd）/r

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2024-6-26 18:01

188610329 发表于 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管，是用来干什么的……

这个电路用了3年半，从来没出过问题，IOA测电压， IOB 控制通断 ...

你这个电路ioa的电压肯定是6v以内的，iob关断后，60v经680k到ioa还是会有电流，iob关不关意义何在？

欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/)