标题: 负载开关电路的疑问 [打印本页]

作者: 李冬    时间: 2022-9-19 11:06
标题: 负载开关电路的疑问
IO2高电平,负载开关打开,就过流保护了,加缓启动电容C3,容量很大,也会保护,后来发现去掉C6,就正常。是不是C6的ESR太小,造成浪涌电流。
C6电容必须要加,现在缓启动C3的容量不能再加大,有什么好办法解决吗,能不能再C5和C6之间加个合适的电阻。
另个问题,有R13,可控硅的门极电阻可以省略吗

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作者: xstong    时间: 2022-9-19 14:33
R12连接到R13下面!   C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K! MOS管左边其它元件省略!
作者: 李冬    时间: 2022-9-19 14:44
xstong 发表于 2022-9-19 14:33
R12连接到R13下面!   C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K! MOS管左边其它元件省略!

Q777的VGS电压不能大于20V,R12和R13分压用的
作者: xstong    时间: 2022-9-19 15:19
李冬 发表于 2022-9-19 14:44
Q777的VGS电压不能大于20V,R12和R13分压用的

耐压问题在GS之间添加双向TVS保护管就解决了,主要是开关打开瞬间,要使得MOS管缓慢打开才能减小负载对电源的冲击!  打开快慢时间调节R13就可以了。
作者: paladina    时间: 2022-9-19 21:32
C6 是不是贴片,查查耐压是否够




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