标题: PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET [打印本页]

作者: bsdz123    时间: 2022-9-20 13:42
标题: PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET
特点
●超高密度细胞沟设计为低RDS(开)。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。


规格书: PL2302GD-100129-2.pdf (757.47 KB, 下载次数: 4)
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