单片机外部FALSH芯片5个数据进行比较方法? -

标题: 单片机外部FALSH芯片5个数据进行比较方法? [打印本页]

作者: jinni_wu 时间: 2022-10-12 19:11
标题: 单片机外部FALSH芯片5个数据进行比较方法?
一个数据保存在外部FALSH五个不同地方，后去读取这五个地方的数据进行比较。当有超过3个读到的数据相同时表示正确，同时其它不正确的进行覆盖。有没有比较好的方法进行判断。

作者: yzwzfyz 时间: 2022-10-13 14:04
这样做有何意义呢？

作者: jinni_wu 时间: 2022-10-14 17:20

yzwzfyz 发表于 2022-10-13 14:04
这样做有何意义呢？

重要数据保证不会因FLASH这页坏或其它原因而读出来的数据与保存的数据不对

作者: Hephaestus 时间: 2022-10-14 17:50
需要你先写出来自己的想法，别人才可以看看有没有可以改进的地方。

作者: lijn 时间: 2022-10-14 18:52
本帖最后由 lijn 于 2022-10-14 19:08 编辑

数据少的用EEPROM方便，FLASH按扇区擦除，不可以字节读写。

作者: 188610329 时间: 2022-10-14 19:44
首先, Flash 要坏通常是整个芯片坏，而不是你以为的一个页坏。
其次，重要的数据，就算在不同的芯片里保存，一般也就存一个备份，更多的是写入后验证，而不是等读出的时候才开始比对。读5取3并不是一个正确的做法，真理很多时候，其实掌握在少数人手中，举个简单的例子，读出来5个数据，其中两个是0xAB, 三个是 0x00，你是愿意相信 0x00 还是 0xAB 才是真实数据？
最后，就算非常非常非常重要的数据，也不是留5个备份，而是在 %覆盖直径距离外留两个副本，再加一个本地，绝没有人留5个那么多。撇开必要性不说，副本越多，泄密的可能越高。

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