PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET -

标题: PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET [打印本页]

作者: bsdz123 时间: 2022-10-18 15:56
标题: PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET
特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。

规格书下载：

PL2300.pdf (502.35 KB, 下载次数: 3)
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