PL60N02D TO-252-3 20VN通道增强模式MOSFET -

标题: PL60N02D TO-252-3 20VN通道增强模式MOSFET [打印本页]

作者: bsdz123 时间: 2022-10-31 15:25
标题: PL60N02D TO-252-3 20VN通道增强模式MOSFET
概述
PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源

规格书下载：

PL60N02D-60A-20V-TO-252.pdf (5.49 MB, 下载次数: 3)
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