关于EEPROM擦写频率 - - Powered by Discuz!

标题: 关于EEPROM擦写频率 [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-9 18:55
标题: 关于EEPROM擦写频率
EEPROM擦写频率怎么理解？怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash？比如如下这个案列

每100ms采集一次数据，每秒存20个字节（实际使用清空EEPROM存储的数据是每周清除三次，这个是否也是擦写频率的一种？）这种应用场景，用外接的EEPROM还是用MCU的flash？用flash可以节省成本！毕竟128Kbit＆SOT23-5封装的EEPROM价格有些贵！而且找不到国产的！交期也是问题，目前只有微芯microchip才有！

作者: wulin 时间: 2022-11-9 22:00
flash擦写寿命大约10万次。每秒擦写一次要不了两天就废了。通常是在断电时把关键数据保存在EEPROM，下次得电时取用。

作者: Hephaestus 时间: 2022-11-9 22:24

wulin 发表于 2022-11-9 22:00
flash擦写寿命大约10万次。每秒擦写一次要不了两天就废了。通常是在断电时把关键数据保存在EEPROM，下次得 ...

你太低估现代偷工减料的水平了，flash的10万次擦写寿命是很多年前的，现代flash寿命普遍在1万次，这还是SLC，还有DLC、TLC、QLC寿命更短的，不过没有用在单片机上。

同样的eeprom以前普遍在1000万次写寿命，现在已经下降到100万次了。

楼主的要求恐怕只有铁电能完成，写的太频繁了。

作者: angmall 时间: 2022-11-9 22:26
你可以用NVRAM。

FLASH必须以扇区为单位访问，而NVRAM以字节为单位访问。

作者: wufa1986 时间: 2022-11-10 08:28
代价有点大，你的单片机需要开辟非常大的写空间才行，最少要开辟1024Kbytes的空间，这样大概10几小时擦除一次

作者: yzwzfyz 时间: 2022-11-10 09:21
CPU中的非易失性存储器通常是按片区分的，即要擦擦一片，教你一个方案，供你参考：
1、开辟一个区域存储数据，如2000-7FFFH，设其中有N个区擦除区（通常每区512字节）。
2、循环覆盖方式存储，这样不至于盯着一个地方擦写。
3、每个区的前12个字节备用，第1个字节作为标记，=FF，表示空区（该区擦过了），反之未用。
剩下的500个字节分成25个组，每组刚好存20个字节。
操作：
1、顺序存入数据，写满后循环重头开始。
2、开始：每次上电，从头开始找20个全是FF的组，就是开始的地方。（各区前12个不用，格式就固定了）
3、擦除：先确认本区是否为空（首字节是非为FF），不是FF就擦除本区。
4、跨区的技巧及要点：要做两件事。
第一件：擦除下个区！设区号是1，2，3，4，5……，当前操作在2区，当2区结束，进入3区时，却要擦除4区！！。即在任何时刻保证下一个区一定是空的（全FF），目的：防止循环重复时，开机后找不到空位置（20个全FF）的情况出现。
第二件：清除新区的标记，即将3区的首字节FF，改为xx（你定义一个非FF值，表示本区开始起用），再从第12个单元开始存数据。

作者: hhh402 时间: 2022-11-10 10:07
flash擦写寿命大约10万次，具体看数据手册，10万次是指擦除的次数，不是指写的次数，读是无限的。

作者: coody_sz 时间: 2022-11-10 10:31
从头写到尾算一次，可以长寿很多倍。

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-14 16:11
比如寿命是10万次那么这里能使用多少年？

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-14 16:11

Hephaestus 发表于 2022-11-9 22:24
你太低估现代偷工减料的水平了，flash的10万次擦写寿命是很多年前的，现代flash寿命普遍在1万次，这还是S ...

这里怎么判断频次

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-14 16:12

yzwzfyz 发表于 2022-11-10 09:21
CPU中的非易失性存储器通常是按片区分的，即要擦擦一片，教你一个方案，供你参考：
1、开辟一个区域存储数 ...

比如寿命是10万次那么这里能使用多少年？

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-14 16:13
每100ms采集一次数据，每秒存20个字节和清空EEPROM存储的数据是每周清除三次，，哪个才是擦写次数

作者: QWE4562012 时间: 2022-11-14 16:15
每100ms采集一次数据，每秒存20个字节和清空EEPROM存储的数据是每周清除三次，，哪个才是擦写次数？？10万次的寿命这里能用多少年

作者: lkc8210 时间: 2022-11-14 17:29
每秒存20个字节：
假设有5k EEProm = 5 * 1024 = 5120
写满一次要 5120/20 = 256秒
写100000次要 256 * 100000 = 25600000秒 = 296日

清空EEPROM存储的数据是每周清除三次：
写满一次要 7 * 24 * 3600 /3 = 201600秒
每秒存20个字节，即EEProm容量为201600 * 20 = 4032000 字节 = 3.8MB

作者: 188610329 时间: 2022-11-14 17:59

QWE4562012 发表于 2022-11-14 16:12
比如寿命是10万次那么这里能使用多少年？

STC 号称 10万次擦写，也许我运气比较好有一片 STC15W204S 擦写约 0.5万次，卒。那时候也是学单片机的初级阶段，是狂做实验，才擦写那么多次，一般也不可能真的去测，对吧？之后，换了另一片STC15W204S 至今擦写约2万次，还没挂，以及一片89C52 也是2万来次未挂，其他型号的基本都只写了几百次，不好判断。所以，具体平均擦写次数不好说，但是，我这边已经把最坏的情况 5000次，作为设计的参考量了。

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