这个电路可以吗?如果提高PWM 频率,这个电路还可以运行吗? -

标题: 这个电路可以吗?如果提高PWM 频率,这个电路还可以运行吗? [打印本页]

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-22 12:56
标题: 这个电路可以吗?如果提高PWM 频率,这个电路还可以运行吗?
照葫芦画瓢，做了这个电路，可以运行！

电路负载接了个灯泡，低频率运行，疑问是如果提高PWM 频率，这个电路还可以运行吗？
我测了一下，单片机口电流8.2ma，也可以接受吧，现在担心的是 MOS管IRF540N 删极电压，导通时21V，会不会太高了，长时间运行烧坏MOS管？

作者: man1234567 时间: 2023-2-22 14:21
这个电路成本几块钱，直接搭个试试就知道了

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-22 15:52
选错电阻了，导通时电压12V，就是这个电路，可以做到快通，快关吗？

作者: BI4MPY 时间: 2023-2-22 16:40
我感觉可以在R1两端并联一个电容用来在高速开关的情况下让控制信号更迅速的作用到Q2上，另外栅极电压应该到不了21V吧？

作者: 黑色蜂鸟 时间: 2023-2-22 16:46
有电阻分压,怎么可能会21V??

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-22 20:36

BI4MPY 发表于 2023-2-22 16:40
我感觉可以在R1两端并联一个电容用来在高速开关的情况下让控制信号更迅速的作用到Q2上，另外栅极电压应该到 ...

的确不到，我用错电阻了

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-22 20:37

黑色蜂鸟发表于 2023-2-22 16:46
有电阻分压,怎么可能会21V??

的确不到，我用错电阻了，10K的别我用了个5K的

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-22 21:28

BI4MPY 发表于 2023-2-22 16:40
我感觉可以在R1两端并联一个电容用来在高速开关的情况下让控制信号更迅速的作用到Q2上，另外栅极电压应该到 ...

实验j几次，好像不能快速开启！频率高了灯就直接灭了...
加到0.025S，灯就灭了?

作者: yun~ 时间: 2023-2-22 22:52
电阻选错了，换一个

作者: taotie 时间: 2023-2-22 23:07

无限飞翔发表于 2023-2-22 21:28
实验j几次，好像不能快速开启！频率高了灯就直接灭了...
加到0.025S，灯就灭了?

你凭肉眼就能观察到40Hz的频率变化吗？？？
能不能快速开闭还是用示波器查看吧

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-23 08:17

taotie 发表于 2023-2-22 23:07
你凭肉眼就能观察到40Hz的频率变化吗？？？
能不能快速开闭还是用示波器查看吧

示波器懒得拿桌子小懒得拿，我写了个0.025S的延时翻转，灯就不亮了？放常一点就可以。

作者: wufa1986 时间: 2023-2-23 09:15
提高频率到一定程度，mos管会发热严重，再高到一定频率无法导通

作者: lkc8210 时间: 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

作者: wys91203 时间: 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增强型的，图中符号错了。按该元件特性，VGS在4-10V时控制 ID电流，属于压控电流源。

作者: pdwdzz 时间: 2023-2-23 10:15
快不了，R2向下充电要时间的。

作者: 王秋冬 时间: 2023-2-23 11:16

lkc8210 发表于 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

不可以

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-23 11:37

wys91203 发表于 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增强型的，图中符号错了。按该元件特性，VGS在4-10V时控制 ID电流，属于压控电流源。

图标是不对！没找到，用N型图标带用了，VGS电压我查的是20V，实际工作12V。

作者: lkc8210 时间: 2023-2-23 22:10

王秋冬发表于 2023-2-23 11:16
不可以

愿闻其详

作者: qq603599910 时间: 2023-2-23 22:48

lkc8210 发表于 2023-2-23 22:10
愿闻其详

一般 MOS的GS耐压不会超20V,所以电阻分压是必须的. 我就曾经因为78M12散热片虚焊24V直通烧毁了之路几个MOS管.

作者: qq603599910 时间: 2023-2-23 22:55
这个电路在PWM 1K以内可以正常控制通断,频率一高必须加图腾驱动,不然Q1会不规则导通,因为Q1的GS寄生结电容Ciss很大,10K分压@1.2ma电流在瞬间无法充电完成.

作者: zywng2153 时间: 2023-2-24 10:09

qq603599910 发表于 2023-2-23 22:55
这个电路在PWM 1K以内可以正常控制通断,频率一高必须加图腾驱动,不然Q1会不规则导通,因为Q1的GS寄生结电容C ...

作者: 阿牛——牛 时间: 2023-2-24 14:07
如果要高频率开关，就必须满足MCO的驱动电压和驱动电流，最好在器Q2与MOS之间增加一个推完结构的驱动电路，这样就满足驱动电压和电流，注意MOS的驱动最高电压要高于5V和低于20V，不然MOS管会损坏或者不导通。

作者: 无限飞翔 时间: 2023-2-24 15:19

qq603599910 发表于 2023-2-23 22:55
这个电路在PWM 1K以内可以正常控制通断,频率一高必须加图腾驱动,不然Q1会不规则导通,因为Q1的GS寄生结电容C ...

谢啦！！！
多次实验，也是发现不对。

作者: lkc8210 时间: 2023-2-24 15:57

qq603599910 发表于 2023-2-23 22:48
一般 MOS的GS耐压不会超20V,所以电阻分压是必须的. 我就曾经因为78M12散热片虚焊24V直通烧毁了之路几个MO ...

一直以为Vgs的耐压等于Vds的耐压
受教了～

作者: hjc5035 时间: 2023-2-24 16:19
按这个电路的参数，不管三极管通断，栅极电压不可能到21V,频率受栅极结电容的影响

作者: coody_sz 时间: 2023-2-24 18:58
楼主你看一下MOSFET的Total Gate Charge，VGS=10V时71nC，你提供PWM频率，需要更大的驱动电流，你的电路会提供不了的。具体来说：假设额PWM频率为50KHz，要求MOSEFT栅压上升沿、下降沿都是0.5us，驱动电压是10V，则需要电流 I=71*10^-9 / (0.5*10^-6)=0.142A，如果要求0.2us的驱动时间，则就要0.355A的电流，这就是为什么要用驱动IC的原因，驱动IC一般可以提供0.1~2A的驱动电流。

作者: 13423265909 时间: 2023-2-24 22:20
对你可以试试，一般单片机最高是12V供电，21V有点过高

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