NMOS怎么对驱动电压过低保护？ -

标题: NMOS怎么对驱动电压过低保护？ [打印本页]

作者: baobao125 时间: 2023-3-13 09:43
标题: NMOS怎么对驱动电压过低保护？
大电流管子一般完全导通电压在10V以上，过大电流时，驱动电压过低时就会因管子没完全导通导致瞬间发热炸管。所以要对栅极做保护。用电压检测的话那只能检测驱动电路没开启的前的电压，如果驱动开启了，因为短路等原因导致驱动电压被拉低，那这时候即便检测到电压过低管子也已经炸了。

作者: univers 时间: 2023-3-13 11:15
这种问题用一个1：1的变压器耦合到NMOS的栅极，这样可以用效的隔离保护驱动级也被损坏。
致于怎样让驱动级输出的电压达到标准，必须有一个检测电路，当检测达标后才给出PWM方波。
大致原理是这样。你总不可能驱动电压才到5V就去推MOS管吧，这样肯定炸的。

作者: baobao125 时间: 2023-3-13 11:52

univers 发表于 2023-3-13 11:15
这种问题用一个1：1的变压器耦合到NMOS的栅极，这样可以用效的隔离保护驱动级也被损坏。
致于怎样让驱动级 ...

主要是考虑MOS栅源击穿造成短路，然后驱动电路只有在开启时才会被大电流拉低电压从而导致其它管子都炸管

作者: univers 时间: 2023-3-13 12:12

baobao125 发表于 2023-3-13 11:52
主要是考虑MOS栅源击穿造成短路，然后驱动电路只有在开启时才会被大电流拉低电压从而导致其它管子都炸管

炸管还有几点要考虑的，要防止驱动到MOS栅极的振铃，用示波器打一打就知道波形。还有就是MOS的选型也很重要的。要选比实际工作大的，安全考虑，只用到管子的三分之一，或二分之一负载量。减轻她的负担，不能满负荷，防止雪崩爆管。

作者: zgrfox110 时间: 2023-3-13 15:19
用电阻分压，接npn里，当分压电阻达到0.7v以上时，三极管才导通，再驱动一个pnp输出电压，这样能保证10一下不导通，10以上导通，保护mos管，可行吗？

作者: xianfajushi 时间: 2023-3-13 17:10
这个应该从其他方面整体考虑保护措施

作者: a399288395 时间: 2023-3-13 17:39
MOS驱动电路是个最基本的电路；只要选型OK；该有的图腾柱或者前级驱动设计没问题；所以你说过大电流驱动电压过低炸管，主要还是你的驱动部分没有做好；
MOS管可以不用单独做检测保护；多MOS管整体做个温度检测保护就可以了；而且一般做保护；不能功能单一；需要做到电流，电压，温度等整体性的；

作者: paladina 时间: 2023-3-13 19:26
21ic上有一篇MOSFET的开启过程讨论，写的很好你可以看看"[技术讨论]MOSFET的开启过程讨论"

作者: Hephaestus 时间: 2023-3-13 23:55
新手最常见的误解就是电路越复杂越好，事实上越复杂可靠性越低。加检测电路远不如保证电压正常来的靠谱。

作者: wufa1986 时间: 2023-3-14 08:17
用单片机很简单，测量某路电压电压不对就报错停止运行

作者: coody_sz 时间: 2023-3-14 10:09
用一个单比较器即可

欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/)