MCU+PCAP01电容测量浮动很大而且位置平移也会产生较大变动? -

标题: MCU+PCAP01电容测量浮动很大而且位置平移也会产生较大变动? [打印本页]

作者: 1123qqw 时间: 2023-5-8 13:01
标题: MCU+PCAP01电容测量浮动很大而且位置平移也会产生较大变动?
用STM32F1控制PCAP01测量电容，程序采用SPI通讯，读取PCAP01的寄存器，电容采集，采用的是漂移模式。使用后发现，电容采集过程中，波动较大，而且在采集过程中不能移动电容器位置。我在测量电容后，在相同环境下，稍稍平移下电容位置，再测，两次测量结果就相差很大，这是为什么啊？

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PCAP01 原理图

作者: yzwzfyz 时间: 2023-5-9 09:16
这是电子功底不足。

作者: 1123qqw 时间: 2023-5-9 17:46

yzwzfyz 发表于 2023-5-9 09:16
这是电子功底不足。

确实是，没啥经验。你能提供个思路吗？我这个电容，只要移动地方，哪怕是平移波动都很大，平移完成后，还没法恢复成没动的数值。你有啥想法吗？

作者: yzwzfyz 时间: 2023-5-10 08:06
软件、硬件、布线、环境都有关系，这里不是方便参说清楚的地方。

作者: 1123qqw 时间: 2023-5-11 19:25

yzwzfyz 发表于 2023-5-10 08:06
软件、硬件、布线、环境都有关系，这里不是方便参说清楚的地方。

好的，谢谢您，我仔细研究研究

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