MOS管的Pd参数是什么？ - - Powered by Discuz!

标题: MOS管的Pd参数是什么？ [打印本页]

作者: MirrAKe 时间: 2023-5-12 20:26
标题: MOS管的Pd参数是什么？
如题，我看很多mos管的封装都是很小的sot23，但是电流id都能达到好几A,Vds能达到2，30V,我就好奇这个pd是指功率吗？如果是这样，Id*Vds不就远超Pd

作者: Hephaestus 时间: 2023-5-12 23:52
power dissipation只跟封装和散热关系最密切，跟Id和Vds关系不大，因为这两个参数不可能同时很大。如果同时很大，那么Pd就很小。

作者: xh896 时间: 2023-5-13 09:33
PD 是指:最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数不可靠）.

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