MOS管的参数选择以及导通速度的计算 -

标题: MOS管的参数选择以及导通速度的计算 [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2023-6-3 09:54
标题: MOS管的参数选择以及导通速度的计算
根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？

有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段。预计用量10K/月。

选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求的同时提高效率，降低温升

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作者: yzwzfyz 时间: 2023-6-5 13:51
对，不全对，还与驱动方式有关。

作者: hhh402 时间: 2023-6-7 21:55
这么大功率，想要1.7M开关频率很难？MOS管标注的是极限时间，实际是达不到这个速度的，普通MOS驱动芯片是500K，大部分MOS（电流>5A）实际开关频率<200k，1.7M建议用三极管。

作者: Hephaestus 时间: 2023-6-7 23:10
MOSFET标这些参数很少见啊！一般只标栅极电容和电荷，只要你有能力克服栅极电容，那么MOSFET想做到多高的频率就能做到多高，没有上限。BJT就不行了，有存储效应，从饱和状态恢复回来非常慢，几乎不能用于高速开关的场合。

作者: hhh402 时间: 2023-6-9 10:59

Hephaestus 发表于 2023-6-7 23:10
MOSFET标这些参数很少见啊！一般只标栅极电容和电荷，只要你有能力克服栅极电容，那么MOSFET想做到多高的频 ...

除了电容，还有电阻......还有电压的限制，所以频率是有上限的。除了考虑开，还要考虑关，电压越大开就越快，但关就越慢，楼主说：“根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度”，严格来说也对，但是开关的时间属于无用时间，开和关之间维持的时间才是有用时间。小功率情况下无用时间需要小于10%，大功率情况下无用时间需要小于2%，就按楼主选的MOS关来说：MOS开关20ns，驱动芯片开关延时需要50ns，驱动的方波开关延时20ns，一共是90ns（这个是极限时间，很难做到），用实例来参考一下：大于100W的开关电源MOS开关频率大部分在100K左右。楼主需要的功率是大于100W的，1.7M频率是正常频率的17倍，难度是非常大的。

作者: Hephaestus 时间: 2023-6-9 11:37

hhh402 发表于 2023-6-9 10:59
除了电容，还有电阻......还有电压的限制，所云德适怯猩舷薜摹３丝悸强挂悸枪兀缪乖酱罂驮� ...

大于100W这有啥难得？我还见过1MHz MOSFET X光机10kW电源呢，只是连续工作时间不超过10s。十多个MOSFET并联。

作者: univers 时间: 2023-6-13 09:28
导通时栅极电容充电，这与你的驱动极设计有很大关系。

作者: fishafish 时间: 2024-7-29 10:01
不全对，必须再加上栅极电容才对

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2024-7-29 21:14
不管是mos还是三极管想要1M以上的频率需要技巧，否则发热严重，不仅仅是驱动那么简单。

作者: xingzhe2chong 时间: 2024-7-30 08:39
顶一个。说得很有道理

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